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文檔簡介
1、硅基應(yīng)變材料的生長技術(shù)經(jīng)歷了MBE(分子束外延)、UHVCVD(超高真空化學(xué)氣相淀積)和LPCVD(低壓化學(xué)氣相淀積),目前已發(fā)展到適于批量生產(chǎn)的RPCVD(減壓化學(xué)氣相淀積)。但與生長技術(shù)密切相關(guān)的生長機(jī)理及生長動力學(xué)模型的研究遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于生長技術(shù)的研究,嚴(yán)重影響了硅基應(yīng)變材料生長技術(shù)的發(fā)展。本論文的主要工作就是研究SiGe材料的CVD生長機(jī)理與生長動力學(xué)模型。
基于氣體的碰撞理論和吸附理論的研究,論文重點(diǎn)研究并建立了硅基
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