60GHzCMOS功率放大器的分析與設計.pdf

1、近年來，隨著對短距離高速無線通信的需求增加，推動了60GHz毫米波頻段射頻前端的研究與發(fā)展。而功率放大器作為射頻前端中最關鍵的模塊之一，也是限制其性能的最重要部分,其設計與發(fā)展就顯得尤為關鍵。1990年以來，毫米波頻段的功率放大器大多由Ⅲ-Ⅴ族等工藝來實現(xiàn)，雖然性能出眾卻在造價與集成度兩方面有著難以解決的弊端。在這種趨勢下，CMOS工藝隨著其性能的飛速發(fā)展，在毫米波頻段的潛力與優(yōu)越性逐漸體現(xiàn)出來。
　　本文從國內(nèi)外發(fā)展的趨勢入手結(jié)

2、合實際所需求的通信環(huán)境對指標的要求，對60GHz CMOS功率放大器進行了分析與設計。前后一共動用三種方式試圖對性能進行改進，并得出可擴展性較強的電路拓撲結(jié)構(gòu)，方便之后的改進與設計。
　　1）首先是工藝發(fā)展的趨勢與90nm CMOS工藝的諸多特性分析與總結(jié)，為之后的設計做準備。
　　2）然后用電感實現(xiàn)了單端CS結(jié)構(gòu)的三級功率放大器，線性增益與最大線性輸出功率分別為5dB、5.9dBm，飽和輸出功率9dBm。
　　3)最