2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩129頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領

文檔簡介

1、石油、煤、天然氣是全球經(jīng)濟發(fā)展的基礎能源,但都是不可再生的礦物能源。當今新能源開發(fā)中,太陽能、風能是其中的佼佼者。利用太陽能發(fā)電打造“低碳經(jīng)濟”已經(jīng)從概念走上現(xiàn)實舞臺,光伏技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化已被世界多個國家列入高技術(shù)能源專項。
   染料敏化太陽能電池(DSC),又稱做Gr(a)tzel電池,利用了有機和無機復合材料的優(yōu)點及納米尺度上出現(xiàn)的新性能,為光伏技術(shù)提供發(fā)展新機遇,已經(jīng)成為新一代薄膜太陽能電池的研究熱點。與傳統(tǒng)p-n結(jié)太陽電池

2、相比,DSC的最大特點是其光吸收和電荷分離傳輸是分別由不同的物質(zhì)完成的,光的捕獲是由敏化劑完成,吸附在電極表面的敏化劑分子受光激發(fā),產(chǎn)生光生電子。寬帶隙納米晶氧化物半導體起到固定染料、電子收集和傳導的作用。DSC研究工作主要集中在無機納米氧化物半導體薄膜制備及微結(jié)構(gòu)優(yōu)化、有機敏化染料合成、電子輸運過程理論研究、電解質(zhì)開發(fā)等方面。
   但是現(xiàn)在的研究主要集中于稀有金屬釕配合物敏化染料和多孔TiO2薄膜的合成和應用上,在實際應用中

3、,稀有金屬釕價格昂貴,電池成本高。與此同時,釘敏化染料的吸收光譜與太陽光譜不匹配,從而降低了光吸收效率,并且TiO2薄膜多孔性雖然有利于染料的吸附,但是其中的光生電子在ITO/電解質(zhì)界面易產(chǎn)生電荷復合,降低電池光電轉(zhuǎn)換效率等。因此,開發(fā)高效、低成本、寬光譜響應的染料電池具有積極意義。
   本論文的研究目標在于結(jié)合有機敏化染料、無機納米半導體材料各自的優(yōu)點,優(yōu)化加工工藝,以提高。TiO2薄膜對光的吸收、拓寬光譜響應范圍、加快電子

4、在回路中的傳輸和降低電荷復合。采取的手段包括:陽極薄膜制備及其微結(jié)構(gòu)優(yōu)化,光吸收范圍寬的酞菁類染料分子的合成,敏化方式的優(yōu)化,以及結(jié)合交流阻抗技術(shù)和等效電路,初步探討薄膜微結(jié)構(gòu)對電子在TiO2薄膜中傳輸阻抗等性質(zhì)的影響,具體內(nèi)容如下:
   1、TiO2薄膜的制備及成膜工藝的優(yōu)化
   利用電化學沉積法制備TiO2阻擋層,采用X-射線衍射、掃描電鏡對膜層的形貌和晶型進行了分析和表征,考察了電沉積時間對膜層厚度的影響,利用

5、循環(huán)伏安研究了薄膜電化學性質(zhì),并通過Ⅰ-Ⅴ曲線研究了膜層厚度與光電流密度的關系。結(jié)果表明:以三氯化鈦為電解液,恒電位0.1 V,電沉積20-30分鐘,制備得到TiO2粒徑為19.3 nm的致密納米薄膜,薄膜表面平整。在此條件下,膜厚為300-500 nm時光電流密度最高。電化學分析顯示電沉積致密層TiO2薄膜改善了TiO2與ITO基底的附著力,提高了薄膜穩(wěn)定性,從而有效地抑制了暗反應。
   為了優(yōu)化納米晶薄膜電極微結(jié)構(gòu)和膜厚,

6、以提高染料吸附量,本論文采用了添加非離子表面活性劑聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、曲拉通改性等工藝手段以制備大比表面多孔TiO2薄膜。結(jié)果表明:添加聚乙烯吡咯烷酮對提高比表面積最有效,其中添加2.5wt%~5wt.%聚乙烯吡咯烷酮,可以有效地抑制TiO2納米顆粒團聚。通過改變絲網(wǎng)印刷層數(shù)控制TiO2膜厚,光電性質(zhì)測試表明:納米晶TiO2膜厚是影響電池光電轉(zhuǎn)換效率的重要因素。
   將上述優(yōu)化的TiO2薄膜進行了復合,形成雙層電極,電池

7、Ⅰ-Ⅴ測試結(jié)果表明,短路電流密度Jsc由常規(guī)單層多孔TiO2薄膜的0.585 mA/cm2顯著地提高到1.19 mA/cm2。這項結(jié)果說明電沉積層致密TiO2薄膜在ITO與多孔TiO2薄膜之間起著橋梁作用,雙層結(jié)構(gòu)即能保證染料負載量,又能有效抑制電荷復合反應,從而提高電池效率。
   2、酞菁類染料的合成及其光譜性質(zhì)。
   采用固相(催化)合成法,制備了四氨基取代酞菁TAPcM(M=Co,Ni,Cu,Zn),四羧基取代

8、酞菁TCPcM(M=Zn,Ga,Ru),四磺酸基取代酞菁TSPcM(M=Zn,Ga,Ru)等三類金屬酞菁配合物。光譜分析表明,酞菁配合物近紅外600-800nm區(qū)域存在著較強的吸收譜帶。取代基不同、中心金屬不同,Q帶λmax值變化明顯。能帶結(jié)構(gòu)分析結(jié)果表明,所制備的酞菁類染料均滿足DSC電池對能級的匹配要求,為光生電子從染料激發(fā)態(tài)注入到TiO2導帶提供了熱力學可能性。利用循環(huán)伏安曲線,詳細研究了三種取代酞菁光敏劑的氧化還原過程。多次循環(huán)

9、掃描的結(jié)果顯示峰電流隨著掃描次數(shù)的增加而升高。該結(jié)果表明沉積在TiO2表面酞菁環(huán)的排列有序度提高,從而增強了電極電化學活性。
   光譜分析顯示,將酞菁化合物作為光敏劑,拓寬了敏化納米晶TiO2電極的光譜響應,進一步證實染料敏化太陽能電池中,酞菁具有良好的光致電荷轉(zhuǎn)移作用。
   3、敏化方式的優(yōu)化
   以恒電位沉積法制備TCPcM、TSPcM敏化TiO2電極,考察了不同沉積電位對敏化電極的光電性質(zhì)的影響。對T

10、CPcM而言,低電位沉積,開路電壓與短路電流都較小,但是隨著沉積電位升高,開路電壓、短路電流增加。Ⅰ-Ⅴ曲線測試結(jié)果表明,在0.1-0.6 V沉積電位內(nèi),0.4 V沉積電位所制得的敏化電極的電壓最大,此時對于不同中心金屬配位酞菁敏化劑的開路電壓,TCPcGa>TCPcZn>TCPcRu,分別依次為是442,432,338 mV。光電流密度在沉積電位為0.3 V時最大,其中TCPcGa>TCPcRu>TCPcZn,分別為0.931,0.6

11、14,0.384 mA/cm2。由此可以看出光電性能均以 TCPcGa為最佳。在電沉積敏化過程中,羧基取代酞菁光敏電極的電壓和電流均高于磺酸基和氨基取代酞菁。
   對于在過高電位沉積制備的敏化電極,電壓反而下降,表明金屬酞菁在過高電壓下酞菁大環(huán)結(jié)構(gòu)被破壞,從而降低了染料對光的吸收。
   對自組裝吸附、電沉積、一步電沉積三種敏化方式制備的敏化電極光電性能進行了比較,發(fā)現(xiàn)電沉積法制備的光敏電極表現(xiàn)出較好的電子轉(zhuǎn)移特性,電

12、壓和電流均高于自組裝與一步電沉積法制得的電極。
   4、薄膜電極電子傳輸過程及等效電路的探討
   采用交流阻抗技術(shù)對薄膜電極電子傳輸過程進行了探討,建立了描述電極電子傳輸過程的等效電路模型Rs(RctCPE)Wo。根據(jù)該等效電路模型,用擬合軟件對電荷傳輸阻抗和界面電容等性質(zhì)進行了擬合。計算出空白ITO電極參數(shù)分別為溶液電阻約為174.5Ω,電荷傳輸阻抗為171.4Ω,電容4.44μF,與實驗結(jié)果相符。對于TiO2/I

13、TO電極,用該模型分析了它們的界面組成,發(fā)現(xiàn)TiO2/ITO薄膜電極含有三個界面,即ITO薄層、ITO| TiO2膜層以及TiO2表面電解液Nernst擴散薄液膜層。進一步對電子在sTiO2/ITO,eTiO2/ITO,tTiO2/ITO三種電極上傳輸過程進行模型分析,顯示三種電極阻抗譜的主要差別在于電子在TiO2層傳輸?shù)牟煌枇?。與空白ITO電極阻抗171.4Ω比較,sTiO2/ITO與eTiO2/ITO電極的阻抗分別為476Ω、59

14、1.4Ω,暗示提高光電性能的關鍵在于減小TiO2層的電子傳輸阻力。這些結(jié)果表明,該模型可以很好地描述電子在TiO2電極中的傳輸過程。
   染料敏化TiO2/dye薄膜電極的分析結(jié)果表明:敏化TiO2電極阻抗譜為兩個相連的半圓形,分別對應于TiO2薄膜|染料|電解質(zhì)界面的電子傳輸阻力以及電極內(nèi)表面電解液薄液膜Nernst擴散傳質(zhì)。一步電沉積敏化的TiO2/dye薄膜電極的總阻抗較電沉積敏化、自組裝吸附敏化要小一些,有助光生電子在

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論