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1、ZnO作為一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有較高的粒子激活能,它在氣敏性能方面具有重要用途。本課題相繼制備純ZnO納米及不同金屬元素?fù)诫sZnO納米線,以此為氣敏材料制備氣敏元件,并對(duì)其氣敏性能進(jìn)行測(cè)試。本文采用物理熱蒸法分別對(duì)ZnO納米線進(jìn)行不同質(zhì)量比例(1wt%,3 wt%,5 wt%)的Ag、Ni、Al摻雜。以所得產(chǎn)物制備成氣敏元件,應(yīng)用靜態(tài)配氣法在不同的目標(biāo)氣體環(huán)境(無水酒精蒸汽、甲烷、一氧化碳、氨氣)中進(jìn)行氣敏性能測(cè)試,研究摻雜提高Zn
2、O納米線的氣敏機(jī)理。取得的主要成果有:
⑴質(zhì)量百分含量為1%Ag摻雜的納米線相比純ZnO納米線的氣敏性能提高幅度最大。在四種氣體中,對(duì)乙醇蒸汽的氣敏性能最高,甲烷和氨氣次之,一氧化碳較小。
⑵質(zhì)量百分含量為3%Ni摻雜納米線相比純ZnO納米線的氣敏性能對(duì)乙醇蒸汽的氣體選擇性略高,對(duì)其他三種還原氣體氣敏性能差異不大。在乙醇和氨氣環(huán)境下,Ni摻雜的ZnO納米氣敏材料的最大靈敏度對(duì)應(yīng)工作溫度降低。
⑶
3、Al摻雜對(duì)目標(biāo)氣體的氣敏性能提高幅度不明顯,但是,摻雜產(chǎn)物依然對(duì)乙醇蒸汽的選擇性最高,對(duì)其它的選擇性順序?yàn)橐谎趸?,氨氣和甲烷?br> ⑷從勢(shì)壘理論出發(fā),摻雜的Ag、Ni、Al能夠填充進(jìn)入ZnO晶粒間,使晶界勢(shì)壘降低,電導(dǎo)率提高。同時(shí),這些金屬元素對(duì)待測(cè)目標(biāo)氣體具有較高的親和力,可加快氣體與吸附氧離子的反應(yīng),進(jìn)而提高氣敏性能。
⑸從能帶理論出發(fā),Ag摻雜后ZnO的帶隙寬度變小,Ni摻雜的ZnO的帶隙寬度變的較大,A
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