SiC材料n型摻雜的第一性原理研究.pdf

1、SiC作為第三代半導(dǎo)體材料,有著許多優(yōu)良的特性,因此它是目前研究的熱點之一。其具有優(yōu)良的熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性和較高電子遷移速率,所以在大功率,耐高溫、高頻和抗輻射等電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景。近年來,大量的理論和實驗研究表明碳化硅材料可以通過摻雜而改變性質(zhì),禁帶寬度也會發(fā)生改變,這將影響用碳化硅材料所制成的光電子器件的性能。隨著計算技術(shù)的飛速發(fā)展,通過理論計算研究半導(dǎo)體材料的性能已成為一個重要的領(lǐng)域。本文主要采用第一性原理的方法來研究

2、n型摻雜對4H-SiC的電子結(jié)構(gòu)的影響。主要工作如下:
　　 首先,陳述本課題的研究背景,并提出所作研究的意義。簡單介紹了SiC的結(jié)構(gòu)、性能和研究現(xiàn)狀。
　　 其次,簡述第一性原理研究的基本方法及其理論發(fā)展過程,并介紹了所使用的計算軟件包CASTEP的特點。
　　 再次,介紹了碳化硅材料的理論模型、計算方法以及結(jié)果的分析方法。
　　 最后,系統(tǒng)計算了4H-SiC的本征態(tài)電子結(jié)構(gòu)和用N、P和As分別摻雜后的