MEMS多層薄膜的低應(yīng)力研究.pdf

1、MEMS是關(guān)系國民經(jīng)濟(jì)和國家安全的關(guān)鍵技術(shù).MEMS的加工技術(shù)主要有三類:LIGA技術(shù)、硅MEMS加工技術(shù)、精密機(jī)械加工技術(shù).表面微加工技術(shù)和體微加工技術(shù)是硅MEMS加工技術(shù)的兩大主流技術(shù).表面微加工技術(shù)由于其與現(xiàn)有IC工藝相兼容、微機(jī)械與微電子的集成制造、批量化生產(chǎn)、成本低等特點(diǎn)而成為其他技術(shù)無法比擬的、最通用的MEMS加工技術(shù).與現(xiàn)有IC工藝兼容的標(biāo)準(zhǔn)化MEMS工藝研究成為現(xiàn)在MEMS研究的一個突出重點(diǎn).薄膜是MEMS加工技術(shù)中最常

2、用的材料和手段.研究薄膜的應(yīng)力特性是建立MEMS標(biāo)準(zhǔn)工藝的前提和基礎(chǔ).選擇標(biāo)準(zhǔn)的薄膜系統(tǒng)是該課題的一個主要方向.兼容的MEMS標(biāo)準(zhǔn)工藝要求選擇薄膜時綜合考慮薄膜的熱、電、力、可靠性及GaAs IC工藝的限制等因素.最終該課題選擇了在GaAs基底上Si<,3>N<,4>/Ti/濺射Au/電鍍Au的薄膜系統(tǒng).借鑒了半導(dǎo)體技術(shù)中"能帶工程"理論的"應(yīng)力補(bǔ)償"方法是建立標(biāo)準(zhǔn)工藝的理論前提,應(yīng)力補(bǔ)償包括應(yīng)力性質(zhì)的補(bǔ)償和厚度的補(bǔ)償,應(yīng)力補(bǔ)償?shù)淖罱K目