p-μc-SiC：H薄膜材料的研究及其在太陽(yáng)電池上的應(yīng)用.pdf

1、硅薄膜材料和電池研究已經(jīng)成為熱點(diǎn),開發(fā)低成本和高效率的太陽(yáng)電池是光伏研究的目標(biāo)。非晶硅薄膜太陽(yáng)電池和微晶硅薄膜太陽(yáng)電池都具有各自顯著的優(yōu)勢(shì),在本論文中研究制備了一種適用于兩種太陽(yáng)電池的窗口層材料,即P型微晶硅碳(p-μc-SiC:H)薄膜材料。p-μc-SiC:H薄膜材料具有高電導(dǎo)率、寬光學(xué)帶隙以及具備一定晶化率的優(yōu)點(diǎn),用其作為窗口層的非晶硅太陽(yáng)電池在保持了高吸收系數(shù)的同時(shí),有具有良好的電學(xué)特性,提高了非晶硅太陽(yáng)電池的短路電流密度；對(duì)于

2、微晶硅太陽(yáng)電池,p-μc-SiC:H薄膜材料本身的晶化率使其與本征層更完美的匹配,改善了電池的性能。此外,柔性襯底太陽(yáng)電池作為薄膜太陽(yáng)電池的一個(gè)新品種,受到越來越多的關(guān)注。本文中采用了半透明和全透明的有機(jī)材料作為襯底材料,制備了柔性襯底的倒結(jié)構(gòu)和正結(jié)構(gòu)太陽(yáng)電池。
　　 論文的核心內(nèi)容包括以下兩部分:
　　 1.p-μc-SiC:H薄膜材料的制備和性能研究
　　 論文分別從CH4的摻雜量、硅烷濃度(氫稀釋率)、襯底

3、溫度、反應(yīng)氣壓和輝光功率密度的角度分析了這些反應(yīng)參數(shù)對(duì)材料暗態(tài)電導(dǎo)率、光學(xué)帶隙以及材料晶化率的影響,比較詳盡的分析了材料各個(gè)沉積參數(shù)的作用原理和相互作用,從而制備出了厚度在70nm左右,暗態(tài)電導(dǎo)率達(dá)到0.1S/cm,光學(xué)帶隙超過2.1eV的p-μc-SiC:H薄膜材料。
　　 2.柔性襯底太陽(yáng)電池的制備和p-μc-SiC:H薄膜材料的應(yīng)用
　　 論文中論述了p-μc-SiC:H窗口層的硅烷濃度對(duì)非晶硅太陽(yáng)電池的影響。采用