微波頻率下薄膜復(fù)介電常數(shù)和復(fù)磁導(dǎo)率的測量方法研究.pdf

1、隨著現(xiàn)代軍事技術(shù)中目標(biāo)探測技術(shù)的迅速發(fā)展,對用于隱身技術(shù)的雷達波吸收材料提出了越來越高的要求.含有Fe、Co基復(fù)合納米薄膜材料具有高磁導(dǎo)率、高損耗,可實現(xiàn)微波的寬頻帶吸收,是一類具有很大發(fā)展?jié)摿Φ男乱淮[身材料.薄膜的復(fù)介電常數(shù)ε<,r>和復(fù)磁導(dǎo)率μ<,r>對吸波性能有重大影響,因而在隱身材料研究中提出了對薄膜電磁參數(shù)進行測量的緊迫要求.本文圍繞這一問題進行了深入的研究,在對國內(nèi)外薄膜復(fù)介電常數(shù)和復(fù)磁導(dǎo)率測量方法進行比較分析的基礎(chǔ)上,提

2、出了用波導(dǎo)法對薄膜電磁參數(shù)進行測量.依據(jù)微波傳輸線理論,建立了測試網(wǎng)絡(luò)模型,推導(dǎo)出了復(fù)介電常數(shù)和復(fù)磁導(dǎo)率同散射參數(shù)S的關(guān)系式,利用計算機編程快速求解出薄膜的電磁參數(shù).對測試系統(tǒng)進行了簡單的誤差分析,采用"TRL"方法對測試系統(tǒng)進行了校準(zhǔn).采用磁控濺射法制備了薄膜,在2.6~3.95Ghz頻帶內(nèi)對薄膜進行了測量,結(jié)果誤差很大,說明該方法不太適用于微米級磁性薄膜.經(jīng)分析主要是由于薄膜相對于基片體積太小,因而對S參數(shù)的影響也相對太小.對有襯底