濺射中的正負離子對ZnO：Al薄膜的影響.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩71頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、透明導電氧化物作為一種重要的光電子信息材料,在薄膜太陽能電池、傳感器、平板液晶顯示器和紅外反射器等領域得到了廣泛的應用。在這類材料中,氧化鋅(ZnO)是一種寬禁帶(3.3eV)的n型半導體材料,易產生缺陷和進行雜質摻雜。相對于銦錫金屬氧化物(ITO)和氟摻雜SnO2(FTo)而言,具有原材料資源豐富、價格低廉,沉積溫度相對較低和在氫等離子體環(huán)境中穩(wěn)定性好等優(yōu)點,是一種希望的TCO材料。人們已經采用多種薄膜生長技術來制備ZnO基透明導電薄

2、膜,其中磁控濺射因沉積系統(tǒng)相對簡單、易操作,成膜質量好,可實現大面積鍍膜,有利于工業(yè)化生產。
　　 在磁控濺射ZnO中,正負離子對襯底的轟擊直接影響到薄膜的質量。CIGS太陽電池工藝中,需要在CdS薄膜上濺射ZnO薄膜,離子的轟擊還會損傷CdS層,更需要注意。因此,開展磁控濺射中正負離子對薄膜生長影響的研究非常有意義。
　　 論文首先研究了負離子在濺射過程中對ZnO:A1薄膜光電特性的影響。研究發(fā)現,濺射中的負離子會對薄

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論