Ce-YVO4晶體的生長及其電荷遷移發(fā)光的研究.pdf

1、Ce:YVO4晶體的晶體的生長生長及其電荷其電荷遷移發(fā)光的研究遷移發(fā)光的研究ThestudyonthegrowthgeTransferLuminescencefCeriumDopedYVO4學(xué)科專業(yè)：材料物理與化學(xué)研究生：吳周禮指導(dǎo)教師：阮永豐教授天津大學(xué)理學(xué)院二零零一二年五月i中文摘要中文摘要YVO4晶體是一種性能優(yōu)良的雙折射單軸晶體，透光性能好，YVO4晶體與其它光學(xué)晶體相比，具有高的激光損傷閾值和很高的機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，以及泵

2、浦閾值低、激光發(fā)射截面大的特點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)表明，在開發(fā)白光LED熒光材料的研究中，稀土摻雜的YVO4晶體是一種很有實(shí)際應(yīng)用潛力的材料。采用中頻感應(yīng)加熱提拉法，在氮?dú)夥諊鷥?nèi)進(jìn)行生長Ce:YVO4晶體，摻雜形式為摻入Ce2(CO3)3。本文主要針對(duì)Ce:YVO4晶體的生長、晶體生長的缺陷以及光譜分析進(jìn)行了研究。Ce:YVO4晶體樣品的XRD測(cè)試和分析的結(jié)果表明，YVO4晶體在摻入Ce3離子后，晶相并沒有發(fā)生變化，鈰元素成功地取代了釔元素的格位。本

3、文首次報(bào)道了摻雜稀土鈰離子晶體中電荷遷移發(fā)光。Ce:YVO4晶體在325nm光激發(fā)下的發(fā)射光譜顯示的是一個(gè)以450nm為中心的寬帶發(fā)射和一個(gè)比較窄的620nm發(fā)射峰，這個(gè)620nm發(fā)光以前尚無人報(bào)告。光譜測(cè)試和分析的結(jié)果表明，Ce:YVO4晶體的發(fā)光可能存在兩種發(fā)光機(jī)制，450nm處的寬帶發(fā)射是由于Ce34f→5d的電子躍遷發(fā)光，620nm發(fā)射峰是由于Ce4與配位氧離子之間的電荷遷移發(fā)光。氧元素的光電子能譜測(cè)試證明Ce:YVO4晶體中存