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1、該文報道了用脈沖ArF準分子激光熔蝕SiC陶瓷靶,在800℃Si(100)襯度上淀積SiC薄膜,經(jīng)980℃真空(10<'-3>Pa)退火后,用FTIR、SEM、XRD、TEM、XPS、PL譜等分析方法,研究了薄膜表面形態(tài)、結(jié)構(gòu)、組成、化學態(tài)、微結(jié)構(gòu)及光致發(fā)光的研究.對經(jīng)過不同溫度真空(10<'-3>Pa)退火的脈沖激光淀積得到的SiC薄膜采用FTIR、SEM、XRD等分析方法,研究了薄膜最佳晶化溫度及表面形態(tài)、結(jié)構(gòu)、組成,并進行了薄膜的
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