垂直靶向脈沖激光沉積納米薄膜.pdf

1、本文采用垂直靶向脈沖激光沉積(VTPLD)方法制備納米粒子與薄膜。該方法利用激光穿透一層透明、平整而且對(duì)激光沒有吸收的基底(本文使用的是玻璃片，它對(duì)YAG激光器產(chǎn)生的1064nm激光不吸收)作用在靶材上，使靶材表面熔蝕產(chǎn)生等離子體而沉積在基底上。我們用此方法在室溫及空氣氣氛下于玻璃基底上成功地制備出ZnO納米薄膜，用掃描電子顯微鏡(SEM)和X-射線衍射(XRD)儀對(duì)ZnO納米薄膜的表面形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，用熒光光譜儀對(duì)薄膜的光致發(fā)光

2、性能進(jìn)行了測(cè)量。結(jié)果表明，當(dāng)激光功率為13W時(shí)，沉積出的粒子大小比較均勻，尺寸在40nm左右，并且這些粒子的排列呈現(xiàn)出一定方向性；當(dāng)激光功率為21W時(shí)，沉積的ZnO納米薄膜圖呈現(xiàn)出微納米孔的連續(xù)薄膜。在玻璃基底上沉積的ZnO納米薄膜有一個(gè)主峰對(duì)應(yīng)的(002)衍射晶面，表明ZnO納米薄膜具有良好的c軸取向性。不同激光功率下沉積ZnO納米薄膜經(jīng)500℃熱處理后的光致發(fā)光譜峰(PL)強(qiáng)度隨激光能量的增強(qiáng)而減弱，最大發(fā)光波長位于412nm。