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文檔簡介
1、隨著信息時代的到來,人們對短波長發(fā)光器件的需求日益增長,因此人們對寬禁帶直接帶隙半導(dǎo)體的研究產(chǎn)生了極大的興趣。氧化鋅(ZnO)是一種寬禁帶直接帶隙(室溫下3.37eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料,室溫下激子束縛能60meV,理論上可實現(xiàn)室溫下的紫外受激輻射,在紫外發(fā)射器件、紫外激光器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 ZnO薄膜的制作方法很多,濺射法、真空蒸鍍、分子束外延、脈沖激光沉積、化學(xué)氣相沉積、原子層外延、噴霧熱分解、溶膠凝膠、鋅
2、膜氧化法等。脈沖激光沉積是近年來發(fā)展起來的先進的薄膜生長技術(shù),與其他方法相比,脈沖激光沉積法對獲得高質(zhì)量的氧化物薄膜更加有效,因為它具有簡單的結(jié)構(gòu)且操作方便,可以通過調(diào)節(jié)激光能量、激光頻率等來控制薄膜的原子層厚度。脈沖激光沉積ZnO薄膜是在高真空背景下用高能激光燒蝕ZnO靶材生成蒸發(fā)物沉積在加熱襯底上生長晶體薄膜。 本文用脈沖激光沉積方法以ZnO陶瓷為靶材,在Si(111)襯底上生長ZnO薄膜,討論了氧分壓、襯底溫度、脈沖能量、
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