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文檔簡(jiǎn)介
1、本文采用脈沖激光沉積法制備了富硅二氧化硅薄膜、Si/SiO2多層薄膜。通過(guò)原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射儀(XRD)、拉曼散射(Raman)等技術(shù)對(duì)薄膜的表面形貌、微觀結(jié)構(gòu)等進(jìn)行了表征。研究了氣壓、氣氛、退火溫度等工藝參數(shù)對(duì)薄膜發(fā)光特性的影響，探討了硅基薄膜的發(fā)光機(jī)理。光致熒光光譜測(cè)試表明，所制備的樣品在紫外和可見(jiàn)光范圍都有光發(fā)射，其中紫外到紫光范圍的發(fā)射光最強(qiáng)，藍(lán)光次之，紅光最弱。富硅二氧化硅薄膜，以波長(zhǎng)為270nm的紫外光為激發(fā)
2、光，在350nm,460nm,650nm,666nm處有發(fā)射峰出現(xiàn)，以波長(zhǎng)為290nm的紫外光為激發(fā)光，在435nm,450nm,467nm,490nm,685nm處有發(fā)射峰出現(xiàn)。Si/SiO2多層薄膜，分別采用波長(zhǎng)為270nm,290nm的光作為激發(fā)光，其發(fā)光峰位在323nm,346nm,403nm,450nm-470nm,490nm,650nm,666nm,690nm處。通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析：認(rèn)為紅光(680nm)來(lái)源于納米晶硅的量子限
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