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1、該文采用脈沖激光沉積（PLD）技術(shù)分別在硅（100）、玻璃基片上沉積了NiZn鐵氧體薄膜,研究了成膜機(jī)制和制備高性能NiZn鐵氧體薄膜的條件,并分析了薄膜的微觀(guān)結(jié)構(gòu)、磁性能與沉積過(guò)程的關(guān)系.通過(guò)SEM、XRD、VSM等分析表明：薄膜的主晶相為尖晶石結(jié)構(gòu),不同基片上薄膜晶粒尺寸均隨基片溫度升高而增大,但硅基片上薄膜在（400）晶面具有一定的擇優(yōu)取向;薄膜的沉積速率隨基片溫度升高呈現(xiàn)先增大后下降的趨勢(shì),且在玻璃基片上沉積速率隨基片溫度的變化
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