2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、本文探討了襯底材料摻雜濃度、陷阱濃度、外界入射脈沖光及外加電壓等因素對不同尺寸的光導(dǎo)開關(guān)的工作特性的影響,具體分析了其機(jī)理以及對于改善光導(dǎo)開關(guān)工作性能的意義。
   采用釩摻雜半絕緣n型6H-SiC作為襯底建立橫向光導(dǎo)開關(guān)模型,當(dāng)橫向總寬度150μm、電極寬度30μm、縱向厚度15μm時(shí),陷阱濃度為1×1015cm-3的光導(dǎo)開關(guān)暗電阻達(dá)3×106Ω,比陷阱濃度為1×1014cm-3的光導(dǎo)開關(guān)暗電阻率增加了高達(dá)104倍。因此通過控

2、制陷阱濃度可以有效改善光導(dǎo)開關(guān)的暗態(tài)特性。
   瞬態(tài)光電流上升時(shí)間為1.06ns,下降時(shí)間約1.56ns。陷阱濃度越大,上升時(shí)間與下降時(shí)間也越小,但峰值光電流偏小。帶隙中的深能級束縛自由電子實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償作用外,還有限制遷移率及載流子壽命等特點(diǎn)。器件工作于本征吸收模式,驗(yàn)證了Bohr頻率定則,即入射光子的能量必須大于禁帶寬度,才能得到有效的光電流。
   SiC光導(dǎo)開關(guān)尺寸增至1000μm×450μm,其電極為100μm,當(dāng)

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