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1、SJ/TXXXXX—XXXX 7 附 錄 A （規(guī)范性） 半絕緣型碳化硅單晶襯底電阻率非接觸測試方法 A.1 概述 本附錄規(guī)定了半絕緣型碳化硅單晶襯底電阻率非接觸測試方法。 A.2 測試原理 非接觸電阻率測試方法源自電容充放電的原理， 其主要部件探頭的基本結(jié)構(gòu)如圖 A.1 所示。 其中處于探頭中心的是電荷放大器電極， 電荷放大器可以通過它實時監(jiān)測電量變化。 非接觸式電阻率測試法在測試電阻率時，會繪制出其電量變化的馳豫曲線圖（如圖 A.
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