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1、該文就SiO<,2>/SiC界面質(zhì)量對(duì)n溝SiCMOSFET性能的影響做了深入的研究:從碳化硅材料的晶體結(jié)構(gòu)出發(fā)分析了碳化硅材料中雜質(zhì)的不完全離化,采用SiCMOS反型層薄層電荷數(shù)值模型,研究了雜質(zhì)不完全離化對(duì)p型6H-SiCMOSC-V特性的影響.分析結(jié)果表明不完全離化對(duì)SiCMOSFET的影響主要集中在亞閾區(qū).建立界面態(tài)密度的指數(shù)分布模型,用數(shù)值方法較為詳細(xì)的分析了界面態(tài)電荷對(duì)n溝MOSFET器件閾值,漏電流,跨導(dǎo)和場(chǎng)效應(yīng)遷移率的影
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