SiO-,2--6H-SiC界面特性及其氧化層缺陷研究.pdf_第1頁(yè)
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1、四川大學(xué)碩士學(xué)位論文SiO6HSiC界面特性及其氧化層缺陷研究姓名：劉洪軍申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：伍登學(xué)20030520四川大學(xué)碩士學(xué)位論文漂移情況，實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)經(jīng)過(guò)N2退火后，表面Si02的llOOcml附近的特征反射峰位向高頻方向移動(dòng)，并且在l100C左右退火時(shí)，這種漂移最明顯。根據(jù)現(xiàn)有數(shù)據(jù)認(rèn)為退火過(guò)后氧化層的密度變小，可能是氧化層內(nèi)部間隙式雜質(zhì)擴(kuò)散出來(lái)的結(jié)果。關(guān)鍵詞：SiO：／6H—SiC，高頻C—V，界面態(tài)特性，

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