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文檔簡介
1、pn結是半導體器件的核心結構,在航天器件中應用非常廣泛。這些器件在太空輻射環(huán)境中易產生輻射損傷致使器件性能退化,因此對其進行抗輻射篩選和可靠性評估是一項必不可少的環(huán)節(jié)。而這些器件評估和篩選的基礎就是對pn結材料輻射損傷的評價。
pn結器件輻射性能退化的根本原因是輻射在pn結材料中引入缺陷以及材料原有缺陷對輻射誘導電荷的俘獲,這些pn結材料的損傷影響器件性能,而輻射造成的pn結材料損傷與pn結器件中的噪聲密切相關,且輻射損傷
2、引起噪聲參量的變化幅度遠遠超過電學參量的變化幅度,因此,對pn結器件噪聲的研究可以為pn結材料和器件的輻射損傷提供一套靈敏,可靠性高的評價技術。本論文主要完成的工作和得到的結論有:
1.研究了pn結材料輻射損傷機制,研究了器件性能退化與pn結材料損傷的關系以及噪聲變化與pn結材料輻射損傷的關系,表明器件的性能退化與噪聲變化都是由輻射引起的位移損傷和電離損傷造成的,為噪聲用于評價pn結材料輻射損傷提供理論依據(jù)。
3、 2.設計并完成了pn結材料樣品的評價參量優(yōu)選輻射實驗,運用實驗結果分析對比方法優(yōu)選出pn結材料輻射損傷噪聲評價參量和電學評價參量。
3.通過對1/f噪聲模型的分析發(fā)現(xiàn)其可以有效的表征pn結材料的輻射損傷,由此分別建立了pn結材料輻射電離損傷評價模型和位移損傷評價模型,并進行實驗驗證,建立基于噪聲的pn結材料輻射損傷一套完整的評價技術,包括評價模型,評價判據(jù)和評價流程。這套評價方法既可以用來評價輻射電離損傷,也可以用來評價
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