硅基太陽能電池的微結(jié)構(gòu)對材料光電性能的影響.pdf

1、本文采用半導(dǎo)體電子陶瓷工藝，在不同的燒結(jié)溫度下制備了含不同雜質(zhì)的硅基半導(dǎo)體材料，并用正電子湮沒壽命譜和符合正電子湮沒多普勒展寬譜對其微觀缺陷進行了研究。用正電子壽命譜儀研究了P型硅基半導(dǎo)體和N型硅基半導(dǎo)體的微觀缺陷和電子密度；測量了硅基太陽能電池退火(200℃，2小時)前后的光電特性和正電子壽命譜。通過實驗得到如下結(jié)論：
　　 (1)對含100ppm的B的Si基半導(dǎo)體樣品，隨著燒結(jié)溫度的升高，其多譜勒商譜降低，正電子壽命增長，缺

2、陷開空間和濃度升高。
　　 (2)石墨的多譜勒商譜譜峰最高，SiO2的譜峰次之，B的譜峰最低。B，C(graphite)和SiO2(single crystal)多譜勒商譜的峰位分別在9.53x10-3，9.86x10-3和l0.52xl0-3moc，即隨著B，C和O原子序數(shù)的增加，與正電子湮沒的電子動量增加。
　　 (3)含20％的C和含100ppm的B的SBC11硅基半導(dǎo)體樣品的商譜的譜峰最高；含100ppm的B的S

3、BC21樣品的譜峰次之；含lppm的B的SBC31樣品的譜峰最低。
　　 (4)對P型半導(dǎo)體，隨著摻B濃度的增加，空穴濃度增加，電子密度減小，導(dǎo)致半導(dǎo)體的電阻率減小，正電子壽命增大。
　　 (5)對N型半導(dǎo)體，隨著摻P濃度的增加，電子密度增加，導(dǎo)致半導(dǎo)體的電阻率減小，正電子壽命減小。
　　 (6)經(jīng)200℃、2小時熱處理后的太陽能電池的開路電壓UoC，短路電流IsC較處理前有明顯的增加，并且太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率比