非晶硅太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電層和本征非晶硅層的研究.pdf

1、隨著能源危機(jī)和環(huán)境問(wèn)題的日益加劇，尋找合適的新能源成為國(guó)際上關(guān)注和研究的焦點(diǎn)。太陽(yáng)能作為清潔可再生能源備受青睞，經(jīng)過(guò)多年發(fā)展太陽(yáng)能電池材料也得到充分的研究。非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池比傳統(tǒng)的硅太陽(yáng)能電池更為環(huán)保，將會(huì)占據(jù)重要地位。本文主要研究非晶硅太陽(yáng)能電池中透明導(dǎo)電層和本征非晶硅層的制備和性能。
　　 透明導(dǎo)電層方面采用超聲噴霧法制備摻氟氧化錫(Fluorine doped tin oxide，F(xiàn)TO)薄膜。研究了溶液組分、襯底溫度

2、、噴霧時(shí)間等沉積條件對(duì)其光學(xué)和電學(xué)特性的影響，獲得高透光率和低方塊電阻的符合非晶硅太陽(yáng)能電池所需透明導(dǎo)電薄膜。由實(shí)驗(yàn)結(jié)果得出：優(yōu)化的襯底溫度為450℃，優(yōu)化的噴霧時(shí)間為2分鐘，優(yōu)化的F摻雜率為1.2，優(yōu)化的草酸摻雜量為12mmol/L。得到的最優(yōu)樣品的方塊電阻為27Ω/□，透光率為76％。
　　 本征非晶硅層使用磁控濺射的方法制備，通過(guò)對(duì)比單晶硅靶和多晶硅靶材制備的非晶硅薄膜，對(duì)其霍爾遷移率、光學(xué)帶隙、X射線衍射(XRD)、拉曼