非晶硅太陽(yáng)能電池的光伏特性.pdf

1、本文用afors-het模擬軟件通過(guò)計(jì)算機(jī)模擬，優(yōu)化了非晶硅電池的參數(shù)，從而對(duì)非晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)提供最優(yōu)化的結(jié)構(gòu)參數(shù)。AFORS-HET軟件是德國(guó)Hahn-Meitner研究所針對(duì)太陽(yáng)能電池專門研發(fā)的模擬軟件，可以模擬各種結(jié)構(gòu)因素對(duì)太陽(yáng)電池性能的影響。
　　 對(duì)于nip型結(jié)構(gòu)的非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池，我們運(yùn)用afors-het模擬軟件，就電池的各層厚度、光學(xué)帶隙、電子親和勢(shì)、溫度對(duì)該非晶硅太陽(yáng)能電池性能的影響進(jìn)行了模擬。結(jié)果表

2、明，對(duì)于nip型非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池，p型層應(yīng)該做的盡量的厚一點(diǎn)，在其厚度達(dá)到1×104nm時(shí)，其效率達(dá)到9.728％;對(duì)于p型層，其功函數(shù)最好選取在4.5ev以內(nèi)，施主雜質(zhì)的摻雜濃度不能超過(guò)1×1016cm－3：對(duì)于本征層，插入1nm本征層后，電池效率顯著增加，本征層厚度最好在1nm左右；本征層帶隙最好選擇在1.2ev～1.7ev之間。對(duì)于發(fā)射極，其厚度最好在5nm以內(nèi)，其功函數(shù)最好在3.8ev～4.2ev之間選取。
　　 對(duì)

3、于nip型結(jié)構(gòu)的非晶硅太陽(yáng)能電池，模擬結(jié)果表明，在其他參數(shù)不變情況下，其最佳厚度在0.22cm左右，其最高效率為19.81％，對(duì)于p型層的功函數(shù)最好選取在4.4ev以內(nèi)，對(duì)于p型層施主雜質(zhì)的摻雜濃度不能超過(guò)7×1016cm－3；對(duì)于本征層，插入1nm本征層后電池效率顯著增加，隨著本征層厚度再增加，太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化效率反而又降低，其厚度最好在5nm以內(nèi)；本征層帶隙最好選擇在1.3ev～1.7ev之間，最好選用1.4ev的非晶硅材料，效率最高