數(shù)值CV方法的研究與SDB硅膜厚度的測量.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、由于世界范圍內對半導體產(chǎn)品的需求持續(xù)上揚,半導體工業(yè)的進步以及對制造微型芯片最為關鍵的薄硅晶片的大量需求將引導半導體黃金時代的發(fā)展,對半導體科學的研究也提出了更高的要求.半導體技術的發(fā)展與封裝、組裝、測試技術的發(fā)展密不可分.測試與測量技術是信息產(chǎn)業(yè)的三大關鍵技術之一,隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,測試測量技術及相關的儀器儀表已成為信息化帶動工業(yè)化的重要紐帶.本文主要研究了基于CV特性的半導體雜質濃度分布的方法,并將其用于測量硅/硅直接鍵合

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