PECVD法制備含氟碳膜工藝及機(jī)理研究.pdf_第1頁(yè)
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1、含氟碳膜是一種很有應(yīng)用前景的集成電路用介質(zhì)材料,其低的介電常數(shù)和較好的熱穩(wěn)定性使它可以取代傳統(tǒng)的SiO<,2>作為致密、高速集成電路的金屬互連線(xiàn)間的絕緣隔離層,從而提高集成電路的速度和效率.本文系統(tǒng)闡述了薄膜的特點(diǎn)、制備方法以及用途,在綜述前人工作的基礎(chǔ)上,通過(guò)大量實(shí)驗(yàn),用CF<,4>和CH<,4>作反應(yīng)氣體,以玻璃、石英和拋光硅片為基底,采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法制備了不同工藝條件下的含氟碳膜,測(cè)量了薄膜的厚度和介電

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