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1、氟碳聚合物(a-C:F)薄膜有著非常廣泛的應(yīng)用價(jià)值。該膜具有較好的疏水性,極低的介電常數(shù)(1.6-2.1)和生物相融性。作為疏水層應(yīng)用在紙張、玻璃等材料上;作為介電層應(yīng)用在超大規(guī)模集成電路中;作為鈍化層應(yīng)用在生物相融性材料中。 微電子技術(shù)和大規(guī)模集成電路的快速發(fā)展,二氧化硅(SiO2)薄膜由于其穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)和電絕緣性質(zhì),在集成器件中顯示出它的重要地位,該薄膜的制備工藝也成為集成電路制造技術(shù)中的關(guān)鍵工藝之一。 同時(shí)SiO
2、2薄膜還具有硬度高、耐磨性好、絕熱性好、光透過率高、抗侵蝕能力強(qiáng)以及良好的介電性質(zhì)。 本文成功的利用低氣壓介質(zhì)阻擋等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(DBD-PECVD)在濾紙、玻璃和硅片上分別以C4Fs,C3F8和CH2F2等離子體制備出大面積性能良好的a-C:F薄膜。 利用傅立葉紅外吸收光譜、掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡、光學(xué)接觸角測(cè)試儀和臺(tái)階儀對(duì)薄膜進(jìn)行了檢測(cè),同時(shí)還用發(fā)射光譜對(duì)等離子體進(jìn)行了診斷。 結(jié)果表明:等離
3、子體種類和放電氣壓能夠影響薄膜的化學(xué)成份和表面形貌。以濾紙為基底的薄膜接觸角較大,具有良好的疏水性。當(dāng)薄膜厚度達(dá)到160nm時(shí),薄膜可以完全覆蓋住基底表面,不改變基底性質(zhì),疏水性較穩(wěn)定。 薄膜接觸角與薄膜的化學(xué)成份和基底的表面粗糙度有關(guān)。C4Fs和C3Fs等離子體制備的薄膜接觸角較大,CH2F2等離子體制備的薄膜中含有CHx(x=1,2,3)基團(tuán),影響它的疏水性,薄膜接觸角較小。 本文也利用低氣壓DBD-PECVD法在硅
4、片上采用TEOS/O2等離子體制備出性能良好的SiO2薄膜。薄膜經(jīng)傅立葉紅外吸收光譜,X射線光電子能譜,原子力顯微鏡,基于原子力顯微鏡的納米壓痕/納米磨損檢測(cè),導(dǎo)電式原子力顯微鏡和臺(tái)階儀檢測(cè)后研究發(fā)現(xiàn),隨著O2含量的增加,薄膜中碳?xì)浠衔锖拷档汀?O2含量較高時(shí),制備出的薄膜含雜質(zhì)較少,結(jié)構(gòu)致密,表面光滑平整。同時(shí)薄膜表面覆蓋一層碳含量較高的導(dǎo)電軟層,厚度為0.5nm-1.5nm。這個(gè)軟層可能是在薄膜生長(zhǎng)過程中,具有高能量的離
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