MEMS工藝優(yōu)化及其應(yīng)用.pdf

1、MEMS是微機(jī)電系統(tǒng)的簡(jiǎn)稱，是多種學(xué)科交叉融合的前沿高技術(shù)，是未來的主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)之一，將對(duì)21世紀(jì)人類的科學(xué)技術(shù)、生產(chǎn)方式和生活方式產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。MEMS標(biāo)準(zhǔn)工藝的研究對(duì)于MEMS器件的制造有著重要的意義。MEMS標(biāo)準(zhǔn)工藝主要由工藝流程以及版圖設(shè)計(jì)規(guī)則兩部分組成。本論文基于硅基微細(xì)加工技術(shù)，按照硅基MEMS微型傳感器的器件結(jié)構(gòu)，利用現(xiàn)有設(shè)備條件，對(duì)表面犧牲層MEMS工藝以及體硅MEMS工藝中部分關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行工藝摸索。主要開展了以下幾方面的

2、工作：
　　 1、初步探索了表面犧牲層MEMS工藝中對(duì)在聚酰亞胺犧牲層薄膜上淀積結(jié)構(gòu)層的應(yīng)力及應(yīng)力梯度控制。通過一系列對(duì)比試驗(yàn)驗(yàn)證了聚酰亞胺薄膜對(duì)于溫度的不穩(wěn)定性，為在聚酰亞胺薄膜上淀積低應(yīng)力結(jié)構(gòu)層提供了工藝的優(yōu)化方向。
　　 2、主要研究了MEMS體硅工藝的核心—深硅刻蝕工藝，優(yōu)化了深硅刻蝕工藝條件，得到了較好的工藝結(jié)果(幾乎垂直的側(cè)壁陡直度，小于200nm的側(cè)壁粗糙度以及切底)。
　　 在此基礎(chǔ)上初步優(yōu)化設(shè)計(jì)