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文檔簡介
1、長余輝發(fā)光材料是一種能夠將激發(fā)光能量儲存起來,能量在激發(fā)光源關閉后以可見光的形式釋放出來,形成持續(xù)發(fā)光。近年來,隨著人們節(jié)能環(huán)保意識的加強,紅色長余輝發(fā)光材料越來越受到人們的關注,目前,藍色和綠色長余輝發(fā)光材料的長余輝性能已經有了很大發(fā)展,而紅色長余輝發(fā)光材料因為余輝時間短、發(fā)光強度低等原因一直沒有達到廣泛應用。因此,尋找具有良好性能的紅色和近紅外長余輝發(fā)光材料,具有重要的實際意義。本文采用高溫固相法合成了Cr3+離子摻雜鎵酸鹽系列近紅
2、外長余輝發(fā)光材料和采用高溫碳熱還原氮化法制備了Eu2++離子摻雜硅基氮化物Sr2Si5N8∶Eu2+紅色發(fā)光材料。討論了Zn元素對MgGa2O4∶Cr3+中的Mg元素做等價替代對結構和發(fā)光性能的影響。以及分別用Ge元素和Si元素對ZnGa2O4∶Cr3+中的Ga元素做不等價替代對結構和發(fā)光性能的影響。并研究了不同SrCO3與Si3N4的摩爾比k對Sr2Si5N8∶Eu2+合成和發(fā)光性能的影響。
(1)通過高溫固相法制備了Z
3、nxMg(1-x)Ga2O4∶0.5%Cr3+(x=0、0.2、0.6、0.8、1.0)磷光體樣品。X射線衍射譜發(fā)現隨著x值得增大,晶體面間距逐漸增加晶格膨脹,光致發(fā)光特性表明樣品的近紅外發(fā)射峰均由以Cr3+為發(fā)光中心的電子2E-4A2躍遷所致,紫外激發(fā)下的發(fā)射峰由704nm逐漸移動到696nm,向短波長方向移動,長余輝時間逐漸變短,熱釋光峰逐漸由473K降低到384K。不同Zn摻入量的樣品余輝衰減快慢不同
(2)通過高溫
4、固相法制備了Zn(1+x)Ga(2-2x)GexO4∶Cr3+(x=0、0.2、0.4、0.6、0.8、1.0)磷光體樣品。X射線衍射譜表明當x≤0.4時,產物的物相結構為ZnGa2O4立方結構;當x≥0.6時,產物的物相結構轉變?yōu)閆n2GeO4三方結構。光致發(fā)光特性表明樣品的近紅外發(fā)射峰均由以Cr3+為發(fā)光中心的電子2E-4A2躍遷與4T2-4A2躍遷共同所致.所制備的材料具有近紅外長余輝發(fā)光性能,余輝衰減曲線和熱釋光分析發(fā)現,不同G
5、e摻入量的樣品中存在陷阱能級深度不同;樣品長余輝特性來源于發(fā)光中心與陷阱之間的量子隧穿效應。
(3)通過高溫固相法制備了Zn(1+x)Ga(2-2x)SixO4∶Cr3+(x=0、0.4、0.6、0.8、1.0)磷光體樣品。樣品的結構與光致發(fā)光特性都與Zn(1+x)Ga(2-2x)GexO4∶Cr3+系列樣品相似,然而,樣品具有較強的紅色長余輝特性。
(4)通過碳熱還原氮化法制備了不同SrCO3與Si3N4的
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