Zn在N-GaSb晶片中擴散機理與GaSb熱光伏電池制備工藝的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、PN結(jié)是光伏電池的核心,GaSb熱光伏電池中的PN結(jié)可通過“準密封式”Zn擴散法制備,本文主要從實驗和理論兩個方面研究了制備GaSb電池涉及到的Zn氣相擴散過程。
   實驗研究了擴散源Zn球在過量、適量和不足三種情況下Zn在N-GaSb晶片中的擴散過程。研究發(fā)現(xiàn):在460~500℃內(nèi),若擴散源Zn球適量,GaSb晶片表面Zn濃度幾乎是恒定不變的;當擴散時間不變時,結(jié)深隨擴散溫度的升高呈指數(shù)增長關(guān)系;當擴散溫度不變時,結(jié)深與擴散

2、時間的二分之一次方呈線性增長關(guān)系。
   采用同時存在V0Ga和I+Ga這兩種本體主缺陷為擴散媒介的方法模擬出了擴散源Zn球適量情況下的kink-and-tail類型的Zn擴散曲線。研究發(fā)現(xiàn):在460~500℃內(nèi),擴散溫度變化時,表面Zn擴散率的對數(shù)值與絕對溫度的倒數(shù)成線性關(guān)系;當擴散溫度不變,增加擴散時間時,樣品表面Zn擴散率恒定不變。
   調(diào)研了GaSb電池的制備方法,并選取單步Zn擴散工藝制備出了GaSb電池樣品

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