邏輯器件側(cè)墻蝕刻工藝研究.pdf

1、我們正經(jīng)歷著一場(chǎng)全新的技術(shù)革命，這場(chǎng)技術(shù)革命的推動(dòng)力正是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，而推動(dòng)半導(dǎo)體發(fā)展的又是其設(shè)計(jì)及制造工藝的不斷創(chuàng)新。目前國(guó)際上的半導(dǎo)體制造工藝已經(jīng)進(jìn)入了納米時(shí)代，世界級(jí)的制造大廠(chǎng)已經(jīng)進(jìn)入32nm工藝大生產(chǎn)階段，并正朝著更小的工藝線(xiàn)寬前進(jìn)；我國(guó)大批量生產(chǎn)的工藝線(xiàn)，八寸線(xiàn)主要還是0.13微米工藝，十二寸線(xiàn)則進(jìn)入了65nm工藝。隨著生產(chǎn)工藝線(xiàn)的持續(xù)使用和設(shè)備的不斷老化，出現(xiàn)了很多新的問(wèn)題。本文就八寸生產(chǎn)線(xiàn)0.13微米工藝側(cè)墻蝕刻出

2、現(xiàn)的問(wèn)題，分三個(gè)部分展開(kāi)研究。
　　對(duì)0.13微米工藝側(cè)墻蝕刻工藝及其設(shè)備的研究：論文對(duì)0.13微米工藝做了分析，并對(duì)側(cè)墻蝕刻工藝的原理及具體的蝕刻方法做了詳細(xì)的研究，尤其是對(duì)側(cè)墻的結(jié)構(gòu)和氮化硅及二氧化硅的蝕刻進(jìn)行了深入的研究。論文還對(duì)側(cè)墻蝕刻的SuperE設(shè)備的結(jié)構(gòu)及各部件的特性做了詳細(xì)的分析。
　　對(duì)側(cè)墻蝕刻中出現(xiàn)的對(duì)良率影響非常大的缺陷問(wèn)題進(jìn)行了研究，并最終找出了問(wèn)題的真正原因。論文先是從蝕刻設(shè)備的角度嘗試尋找解決問(wèn)題

3、的辦法，包括常用的部件及真空系統(tǒng)等，但效果并不明顯。又采用了正交實(shí)驗(yàn)的方法，按蝕刻步驟逐步分析工藝參數(shù)中影響缺陷的因素。最終發(fā)現(xiàn)是因?yàn)檎婵障到y(tǒng)的老化和蝕刻工藝的不完善才導(dǎo)致了缺陷。
　　對(duì)側(cè)墻蝕刻后殘余二氧化硅厚度控制的研究。殘余二氧化硅是指?jìng)?cè)墻蝕刻后襯底上剩余的二氧化硅。因?yàn)樗饶芊磻?yīng)側(cè)墻蝕刻的效果又可作為后繼離子注入的阻擋層，所以對(duì)其厚度的控制就非常關(guān)鍵。論文通過(guò)正交實(shí)驗(yàn)首先找到了影響殘余二氧化硅厚度的工藝參數(shù)，即氧氣流量，但