2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、東南大學(xué)碩士學(xué)位論文0.5微米邏輯工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式OTP器件特征研究姓名：房世林申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：軟件工程（集成電路）指導(dǎo)教師：時(shí)龍興滕敬信20070615東南大掌硬士學(xué)位論文AbsttactWiththedevelopmentoftheintegratedcircuits，especiallythedevelopmentofthegOC，theapplicationoftheembeddedmemoryiDtheimegrated

2、c㈣tsbeeom口，mandJnomOTPwhichiscompatiblewiththestandardCMOSprocess，isOlleofthemostexcellenttechnologiesInordert0keeptheUghperf㈣ofOTPtheprocesswiltbeverycomplexSO∞tOthe11ighcostSoitisvery皿portmtofindthecompatiblepl_clCeSSi

3、nordertonxlIlcethecostoftbelCswithOFFAsinglepolyPMOSbasednonvolatilememorycellfllllycompatiblewith05umstmldardCMOSfabricationproc∞∞sispr∞mIcditconsistsofaPMOS∞cBsmmsismrinseries晰tIlaPMOStransislorwhosegazeisleftfloatingT

4、hecellconfigurationeliminatestherequirementofacontrolgateandthereforembefabricatedwithoutusingdoublepoly鯽esThecellsavesercacomparedtoothersinglepolynonvolatilememorycellsbasedOilCMOSapproacheswhichrequzrebothNMOSandPMOSt

5、nmsistorsThecellswmfabricatedmiJ瞎a05mnsmnda柑CMOgprocessofCSMCFABIThepfogrmmingmechanismofthecellishotelectroninjectionThedeviced礙盯扯m：risticshowsthinThe—q妒mmIiIlgoI硎徹canbeperfom弛d砸programmingvoltagesaroundlVds|=Ⅳ，and廿leof

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