2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文0.35微米每單元兩位SONOS結(jié)構(gòu)的嵌入式閃存工藝的開發(fā)姓名：倪曉燕申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：電子與通信工程指導(dǎo)教師：鄭國(guó)祥20070602摘要Abstract03511mSONOS2BitpercellembeddedflashmemoryflashisaprocesstransferredwithdevelopmentItisaprocesspatentedbySaifun’stechnologyInthispa

2、per，somekeyprocessesarefocusedonandstudiedByalotofexperiment，themostimportantissuesareintroducedTheyareVtvoltageadjustment，BurriedDiffusionLayerappearanceandstructure，GatePolyattachesNG，Sidewall，ViaandAL1ine’sprocesstuni

3、ngAfterall，solutionsareworkoutforthoseissuesProcessperformanceandyieldareimprovedalotAtthefirstengineeringwaferrunningwedecideddevice’sphysicalappearanceandstructureandallthetransistor’sVtvoltageWealsoverifiedourback—end

4、processButattheSaⅡlletimewefoundBD(BurriedDiffusion)’sshapeandthicknessaffectoncell’sreadandwriteperformanceWeanalizedandsolvedtheproblemthatthewafercenter’scellcouldnotperformreadandwriteThecauseisthattheBNLImplantequip

5、menthadnoenoughvacuumdegreewhichmadethecenterBDfilmisthinnerthantheedge’sAndthinnerBDfilmcausecurrentleakageSoweselectanotherimplantequipmentandadjustdiffusiontimetosolvetheissueAtthesecondengineeringwaferrunningwefoundt

6、woissuesThefirstistheWSifilmcouldnotattachedwelltothePolyfilmwecheckthegatepolyformationprocessandchangetheWSiformationpre—cleanprocessThesecondissueisthatwefoundpittingafterPolyfilmdryetching，whichhadtoincreasedryetchin

7、g’smarginAtthethirdengineeringwaferrunningwefoundcellleakageissue，andfoundtherootcauseissiliconsubstratepittingAtthemeanwhile。wedecidedthemanufactureconditionofallthebackend’sA11ineandVia。Afterthreetimesengineeringwaferr

8、unning，weimprovethedevice’sperformancegradually，yieldupto80％ThedevicealsopasstheMTP(bfultipleTimeProgram)qualificationstandard，programtimesisover5000andbegintoriskproductionKeywords：SoNoSSaifunVtoNOfilmBDoxidefilmgatepol

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