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1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文SST0.25μm工藝嵌入式超閃存擦寫次數(shù)提升的實(shí)現(xiàn)方法研究姓名：楊鵬申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：軟件工程指導(dǎo)教師：程秀蘭楊斌20080101–II–ImprovementonEndurancePerfmanceofEmbeddedSuperFlashMemywithSST0.25mTechnologyABSTRACTSSTsuperflashisfastemergingasamainstreammemytechno
2、logy.DuetohighreadcurrentcompleteimmunityfromovereraseSSTsplitgateflashmemyhasgainedalotattentioninbothstaloneembeddednonvolatileapplications.FlashmemyiswidelyusedfmanyapplicationfieldsatpresentsuchaspersonalPCdigitalmac
3、hinesmobiletelephoneSIMcards.AtthebeginningthepaperintroducestheflashtechnologywkingmechanismSST0.25mprocessrealizationmethod.Thesplitgateflashmemycellswerefabricatedbydoublelevelpolysiliconbyusingstard0.25mCMOStechnolog
4、y.SSTsplitgateflashmemycellsusepolytopolyFNtunnelingferasingsourcesidechannelhotelectroninjectionfprogramming.FSSTflasherasefailureisthedominantfailuremodeaftercyclingduetotrapupintunnelingoxidebetweenfloatinggatecontrol
5、gate.Thepaperfocusesontheendurancecycleimprovementachievablemethoddiscussion.Withsomanypracticesexperimentshowingtheauthachievesthebelowmethodstoimprovetheflashendurancecycle.IPdesignrelated:BychangingMetal1Metal3maskinc
6、reasetheerasevoltagefrom12.8Vto13.2Vthatbecumulatedininternalgepump.300Ksecterasecanpasswithoutfailure.Processrelatedbyoptimizingtherecipeonfloatinggatephotomodule、adjustingtheintegratedprocessrecipesonfloatinggateoxidat
7、ionfmationthefloatinggateetchtimechangingthetunneloxidethicknessdirectlytofindoutthebestconditiontheeraseefficiencyisincreasedobviously.Theresearchwasfromthecompanyprojectsitcanbeusedasreferencetootherflashproductdevelop
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