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文檔簡介
1、隨著集成電路集成度和復(fù)雜度的提高,嵌入式存儲(chǔ)器在片上系統(tǒng)芯片(SoC)上占有越來越多的比重。由于嵌入式存儲(chǔ)器中晶體管密集,存在高布線密度、高復(fù)雜度和高工作頻率等因素,很容易發(fā)生物理缺陷。而且存儲(chǔ)器嵌入在芯片中,并非所有的引腳都被連到芯片引腳上,故傳統(tǒng)的測試方案不能有效支持測試。因此,研究高效率的測試算法,建立有效地嵌入式存儲(chǔ)器測試方法,對提高芯片成品率,降低芯片生產(chǎn)成本具有十分重要的意義,而內(nèi)建自測試(BIST)則成為當(dāng)前針對嵌入式存儲(chǔ)
2、器測試的一種經(jīng)濟(jì)有效的途徑。
本論文主要采用了內(nèi)建自測試(BIST)對數(shù)字基帶芯片中的存儲(chǔ)器進(jìn)行可測性設(shè)計(jì)。第一章介紹了幾種可測性設(shè)計(jì)方法,比較了它們的特點(diǎn),確定了各自的適用范圍;第二章對存儲(chǔ)器的類型和測試方法,以及測試難點(diǎn)進(jìn)行闡述和分析;第三章根據(jù)存儲(chǔ)器內(nèi)建自測試(BIST)對SDRAM進(jìn)行了可測性設(shè)計(jì),完成后可以用正常的工作速度實(shí)現(xiàn)對存儲(chǔ)器的測試;第四章對存儲(chǔ)器功能進(jìn)行測試和驗(yàn)證,對輸入和輸出結(jié)果進(jìn)行比較分析,并用軟件
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