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文檔簡介
1、南京航空航天大學(xué)碩士學(xué)位論文嵌入式存儲器內(nèi)建自修復(fù)技術(shù)研究姓名:徐向峰申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):測試計量技術(shù)及儀器指導(dǎo)教師:王友仁20090101嵌入式存儲器內(nèi)建自修復(fù)技術(shù)的研究iiAbstractWiththeimprovementofsemiconductmanufacturingprocessICdesigncapabililtytheembeddedmemydemisincreasingrapidly.Itisfecastthat
2、memiesofdifferentfunctionswillhaveoccupiedapproximately94%chipareaofSoC(SystemOnaChip)by2014.Thusembeddedmemeywillbecomethedeterminingfactofthewholesystem.Indertoimprovetheyieldbuiltinselfrepairfembeddedmemyisabsolutelyn
3、ecessary.InthispaperweconcentrateonthealgithmsofbuiltinredundancyanalysistheuseofECCtechniquesinthememyrepair.OntheonehofalgithmsanextendedmethodbasedontheserialCRESTAisproposedtoavoidthedrawbackofhighanalysistimes.Thene
4、wmethodcanreadthefaultyinfmationfromthecompressedbitmapsoitdoesnothavetorestarttheBISTenginerepeatedly.AsaresulttheredundancyanalysistimebecomesmuchshterthanserialCTESTA.OntheotherhECCtechniquesareappliedtocoverthesingle
5、fault.Ifthecoderate(i.e.theratioofthelengthofinfmationbitstocodelength)islagerthan12ECCuseslessareaoverheadtorepairsinglewdfaultsthanredundantrows.Besidesindertofindoutthefaultseasilycircuitsofbuiltinselftestarealsomades
6、omeimprovement.SuchasaLFSRinsteadsoftheconventionalbinarycounterthenewaddressgenerathaslessareaoverheadhigherspeedWealsoproposedaprogrammableMBISTcontrollerwhichcanrealizefourMarchalgithms.Itwaspointedoutthatthereisagrea
7、tflexibilityinusingoftheprogrammableMBISTcontroller.ThewholeproposedMBISTMBISRcircuitsweredescribedbyVHDLtheyweresimulatedbyusingthesimulationsoftwareModelSim.Thecomparisonanalysiswerecarriedoutbetweentheexperimentaldata
8、theexistencedata.experimentalresultsdemonstratethattheimprovedalgithmcanshtenanalysistimecutdowntheareaoverheadincreasethespeed.ThewkpresentedinthispaperhasbeenfundedbyNationalNaturalScienceFoundationofChina(603740089050
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