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1、現(xiàn)在,半導(dǎo)體集成技術(shù)已經(jīng)在最新的電子設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用,其中,嵌入式存儲(chǔ)器在芯片中占有絕對(duì)地位,所占芯片的面積比例越來(lái)越大,而且對(duì)于芯片的作用也越來(lái)越突出,成為芯片發(fā)展的一個(gè)顯著特點(diǎn)。然而由于其結(jié)構(gòu)密度高以及工藝復(fù)雜,所以經(jīng)常在晶圓測(cè)試過(guò)程中,會(huì)發(fā)現(xiàn)很多芯片未通過(guò)測(cè)試的原因就是在于其嵌入式存儲(chǔ)器發(fā)生了故障,導(dǎo)致整個(gè)晶圓的良率都比較低,成為影響芯片良率的一個(gè)至關(guān)重要的因素,而較低的良率是制造芯片所不允許的。為了改善整個(gè)晶圓的良率,提高嵌
2、入式存儲(chǔ)器的可靠度,在測(cè)試過(guò)程中對(duì)于存在故障的嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行修復(fù)就顯得非常重要與迫切,而且具有很大的市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值,因此值得深入研究。
本文介紹了嵌入式存儲(chǔ)器修復(fù)的發(fā)展背景以及國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀。從嵌入式存儲(chǔ)器的故障類(lèi)型和算法分析出發(fā),引出嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試的三種基本方法,對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試進(jìn)行了深入研究。在闡述嵌入式存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試的基礎(chǔ)上,對(duì)于發(fā)現(xiàn)的故障,進(jìn)行算法分析,進(jìn)而引入傳統(tǒng)修復(fù)技術(shù)。針對(duì)于傳統(tǒng)修復(fù)技術(shù)耗費(fèi)過(guò)多芯片面
3、積的問(wèn)題,提出具體的優(yōu)化傳統(tǒng)修復(fù)技術(shù)的方法,并且對(duì)于具體的優(yōu)化過(guò)程做了深入分析,重點(diǎn)探究了優(yōu)化以后的新形式修復(fù)技術(shù)的基本部分以及實(shí)現(xiàn)過(guò)程。本文設(shè)計(jì)了基于這種新形式修復(fù)技術(shù)所形成的七個(gè)主要測(cè)試模塊,深入研究了各個(gè)模塊的具體設(shè)計(jì)思路與設(shè)計(jì)方法;除此之外,為了減少該測(cè)試流程中的測(cè)試時(shí)間,為企業(yè)節(jié)省更多的測(cè)試成本,本文基于七個(gè)測(cè)試模塊之一的熔斷模塊,闡釋對(duì)其優(yōu)化的依據(jù)以及方法,創(chuàng)新性的提出三種優(yōu)化流程代碼的改善方式,大大減少了該流程的測(cè)試時(shí)間,
4、最終給出了嵌入式存儲(chǔ)器修復(fù)的整個(gè)測(cè)試流程解決方案。最后,在以上各個(gè)模塊設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上,在實(shí)際的AT E(自動(dòng)測(cè)試機(jī))測(cè)試平臺(tái)中搭建了整體的測(cè)試流程,經(jīng)過(guò)調(diào)試和優(yōu)化測(cè)試程序后,進(jìn)行實(shí)際晶圓的在線測(cè)試。通過(guò)分析和總結(jié)測(cè)試后系統(tǒng)生成的測(cè)試結(jié)果,可以發(fā)現(xiàn),經(jīng)過(guò)測(cè)試過(guò)程中嵌入式存儲(chǔ)器的自修復(fù),整個(gè)晶圓一共修復(fù)了42個(gè)芯片,直接使得芯片良率由55.98%提高到59.54%,將良率提高3.56%,減少了芯片的損失,達(dá)到了預(yù)期的目標(biāo),同時(shí)也驗(yàn)證了整個(gè)測(cè)試
5、流程解決方案的可行性以及正確性;另外,經(jīng)過(guò)流片驗(yàn)證,對(duì)于進(jìn)行時(shí)間優(yōu)化后的測(cè)試流程,可以節(jié)省熔斷模塊將近一半的測(cè)試時(shí)間,將整個(gè)晶圓在該模塊的測(cè)試時(shí)間由189.701s減少到94.752s,平均每一個(gè)芯片在該模塊的測(cè)試時(shí)間由160.848ms減少到了80.362ms,相應(yīng)的也驗(yàn)證了三種優(yōu)化流程代碼方式的正確性。結(jié)果表明,整體測(cè)試流程解決方案實(shí)現(xiàn)了晶圓良率的提高以及測(cè)試時(shí)間的減少,方法行之有效,為嵌入式存儲(chǔ)器修復(fù)技術(shù)的發(fā)展提供了技術(shù)支撐,具有
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