含鈹碳化硅陶瓷的制備及其電磁性能研究.pdf

1、通過在高聚物中添加異質(zhì)元素轉(zhuǎn)化制備高性能碳化硅陶瓷是目前研究的一個熱點。基于鈹材低介電常數(shù)、低介電損耗及其特殊的光化學性能，本研究中對先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法制備的含鈹碳化硅陶瓷的電磁性能進行研究。通過對材料電磁測試的方法的原理及適用范圍進行對比，選擇了同軸傳輸/反射法進行材料的電磁參數(shù)的測試。
　　乙酰丙酮鈹(Be(acac)2)與聚碳硅烷(PCS)是合成含鈹高聚物先驅(qū)體(PBeCS)的原料，借助凝膠滲透色譜(GPC)、傅里葉變換紅外光譜(

2、FT-IR)、X-射線光電子能譜(XPS)等分析手段研究了PBeCS的結(jié)構(gòu)與組成。通過對比不同工藝條件下合成的先驅(qū)體所制備的含鈹碳化硅陶瓷的電磁性能，研究了鈹?shù)膿诫s劑鈹?shù)膿诫s量對含鈹碳化硅陶瓷的介電性能的調(diào)節(jié)作用。研究結(jié)果表明鈹?shù)膿诫s使陶瓷的介電常數(shù)ε'增大，介電損耗tanδ減小;可以通過鈹?shù)膿诫s量對損耗角正切的吸收峰進行調(diào)節(jié)。探索了含鈹碳化硅陶瓷先驅(qū)體的合成機理，計算得到含鈹聚碳硅烷先驅(qū)體的化學式為SiC2O0.333Be0.007H

3、3.798。
　　借助紅外-熱重聯(lián)用、X-射線衍射分析(XRD)等分析手段對含鈹碳化硅陶瓷先驅(qū)體的陶瓷化過程進行研究。通過對比不同陶瓷工藝參數(shù)制備的含鈹碳化硅陶瓷的電磁性能，研究了陶瓷化過程中含鈹碳化硅陶瓷的電磁參數(shù)的變化因素。研究結(jié)果表明陶瓷化溫度對含鈹碳化硅陶瓷的介電常數(shù)ε'及介電損耗tanδ影響較大;含鈹碳化硅陶瓷的介電常數(shù)ε'及tanδ隨著密度的增加而增大。探討了含鈹碳化硅陶瓷的電磁參數(shù)的改變機理，為含鈹碳化硅陶瓷在微波領(lǐng)