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1、 本論文基于濺射生長(zhǎng)薄膜的基本原理，圍繞REBCO(RE=Y，Sm)薄膜的生長(zhǎng)進(jìn)行了研究。首先，開(kāi)展了YBCO、SmBCO和HoBCO平面靶材的燒結(jié)工藝的研究。通過(guò)大量試驗(yàn)，優(yōu)化了燒結(jié)工藝，所制備的靶材結(jié)構(gòu)致密，結(jié)晶良好。使用此靶材制備的薄膜在優(yōu)化工藝條件下具有較好的超導(dǎo)電學(xué)性能。采用倒筒式直流濺射裝置，研究了溫度對(duì)薄膜生長(zhǎng)的影響，薄膜形貌及外延取向隨薄膜厚度的變化以及基片對(duì)薄膜生長(zhǎng)的影響。發(fā)現(xiàn)沉積溫度為720℃時(shí)，在STO、Mg
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