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1、本論文首先綜述了超導(dǎo)材料的發(fā)展、應(yīng)用以及分類;REBa2Cu3O7-x(RE代表稀土元素)高溫超導(dǎo)帶材的發(fā)展和超導(dǎo)薄膜的制備方法;以及REBa2Cu3O7-x高溫超導(dǎo)材料采用元素替代提高臨界電流的方法。 然后,本論文采用無氟金屬有機(jī)物沉積方法(MOD)在單晶基底LaAlO3(100)上制備DyBa2Cu3O7-x(DyBCO)薄膜。首先通過實(shí)驗(yàn)確定最佳外延生長(zhǎng)溫區(qū)為770℃,然后在氣氛中引入一定量的水汽來分析其對(duì)薄膜生長(zhǎng)的影響。
2、實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明水汽的引入不利于薄膜的生長(zhǎng),最后通過部分熔融法進(jìn)一步優(yōu)化DyBCO的外延生長(zhǎng)工藝。對(duì)樣品進(jìn)行X射線衍射(XRD)分析、掃描電鏡(SEM)分析以及超導(dǎo)性能的測(cè)試,得到的DyBCO薄膜c軸織構(gòu)良好,表面平整致密,臨界超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度為92K,77K自場(chǎng)下的臨界電流密度約為1.5Mm/cm2。 最后,對(duì)YBCO的Cu位摻雜進(jìn)行研究。由于YBCO應(yīng)用更為廣泛,YBCO的摻雜研究更有實(shí)用意義,而DyBCO的工藝可以直接轉(zhuǎn)移至YBC
3、O,因此YBa2Cu3-xMxO7-y(M=Zn,Ni,Fe)的Cu位進(jìn)行摻雜研究,X=0.0005,0.001,0.005。通過X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)以及超導(dǎo)性能的測(cè)試來分析摻雜對(duì)YBCO的影響。Ni,Zn,F(xiàn)e的微量摻雜后YBCO薄膜具有良好的的c軸織構(gòu),同時(shí)能夠改善薄膜的微觀形貌。Ni,Zn,F(xiàn)e的摻雜會(huì)抑制超導(dǎo)電性,隨著摻雜量的增加,超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度降低,從強(qiáng)到弱為:Zn,Ni,F(xiàn)e。Ni,Zn,F(xiàn)e的摻雜會(huì)引入釘
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