2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體器件的特征尺寸按摩爾定律不斷縮小,SiO_2作為MOSFET(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor)的柵介質(zhì)材料在幾年之內(nèi)將不能滿足需求,以此為背景應(yīng)用于下一代MOSFET的高介電柵介質(zhì)材料就成為當(dāng)今微電子材料的研究熱點(diǎn)。要取代SiO_2成為MOSFET器件里的柵介質(zhì),High-k材料必須具有與SiO_2/Si系統(tǒng)相似的性質(zhì),使其與當(dāng)前的半導(dǎo)體工業(yè)兼

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