2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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1、山東大學(xué)碩士學(xué)位論文化學(xué)溶液分解法(CSD)制備BiTiO薄膜、Pb(ZrTi)O 鐵電薄膜及其物理性能研究姓名:王少偉申請學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師:王弘2000.5.1摘要晶條件為5 5 0 4 C 退火1 0 分鐘,得到的薄膜為多晶膜,高( 1 1 1 ) 取向;薄膜表面無裂紋,晶粒排列致密,晶粒大小、分布均勻。( B ) B i 2 T i 2 0 7 薄膜的絕緣性良好,當(dāng)外加電壓在一1 8 V ~1 8 V 之間時(shí)

2、,薄膜的漏電流密度很小( 絕對(duì)值) ,數(shù)量級(jí)基本為1 0 。或低于l O ~;薄膜的漏電流密度隨著退火溫度的升高而減小,隨著退火時(shí)間的延長而增大;晶態(tài)成膜工藝制得薄膜的絕緣性比非晶成膜工藝的好。( C ) B i 2 T i 2 0 ,薄膜的表面固定電荷密度( 幌) 、可動(dòng)離子密度( M ) 及界面態(tài)密度眠) 分別為3 .5 x 1 0 ”/c m 2 、5 .2 x 1 0 ”/e m 2 、6 .7 x 1 0 “/( e V c

3、m 2 ) :薄膜對(duì)N a .離子具有阻擋作用。( D ) B i 2 T i 2 0 7 薄膜具有較大的介電常數(shù),頻率在1 0 K H z - 1 0 0 K H z 之間時(shí)的介電常數(shù)大小在1 5 9 ~1 4 9 .6 之間。2 .( A ) 退火溫度為7 0 0 “ C ,退火時(shí)間為5 分鐘時(shí)可得到結(jié)晶性和取向性良好的P b T i 0 3 薄膜;成功地以硝酸鋯為原料,在P b T i O ,籽晶層上制備出( 1 1 0 )取向的

4、P b Z r o 5 T i o5 0 3 薄膜。( B ) 以P b T i 0 3 為籽晶層的P b Z r o 5 T i 。,O ,薄膜的漏電流密度隨著退火溫度的升高而減小,隨著退火時(shí)間的延長而增大;在7 5 0 “ C 退火5 分鐘可以得到結(jié)晶性、取向性和絕緣性都較好的P b Z r o 5 T i ¨O ,薄膜:當(dāng)頻率為5 0 K H z時(shí),薄膜既具有較大的介電常數(shù)( 2 3 4 .3 ) ,又有較小的介電損耗(

5、 O .2 6 5 ) 。3 .( A ) 以B i :T i 2 0 ,為阻擋層制備P b z r o s T i o ,O ,薄膜,在7 5 0 “ C 退火1 0 分鐘可以得到結(jié)晶性較好的P b 砜,T i 。O ,薄膜;交叉成膜工藝的結(jié)晶性比在B i ,T i ,0 ,上生長多層P Z T 膜的差。( B ) 以B i 2 T i 2 0 ,為阻擋層的P b Z r o 5 T i ¨0 3 薄膜有明顯的C .V 回線

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