pb(zr,0.94ti,0.06)o,3薄膜的鐵電性及熱釋電性能的研究

1、南京航空航天大學(xué)碩士學(xué)位論文Pb(ZrTi)O薄膜的鐵電性及熱釋電性能的研究姓名：彭潤(rùn)玲申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：光學(xué)工程指導(dǎo)教師：吳平2002.2.1南京航空航天大學(xué)碩士學(xué)位論文r 摘 要L 缽電材料在二十世紀(jì)二十年代就己?jiǎn)柺溃F電薄膜技術(shù)始于二十世紀(jì)七十年代，隨著成膜技術(shù)的發(fā)展，這種新穎的功能材料己廣泛應(yīng)用于電子技術(shù)、激光技術(shù)、紅外探測(cè)技術(shù)以及其它工程技術(shù)方面。P b ( z r ，T i ) 0 3 ( 通常簡(jiǎn)寫(xiě)為P Z T ) 是

2、二十世紀(jì)五十年代初出現(xiàn)的一種鐵電材料，由于其介電、鐵電、壓電及熱釋電性可通過(guò)改變Z r ／T i的份量比以及摻雜的方法得到改善，因此倍受國(guó)內(nèi)外的關(guān)注。y 吖。本文基于前人的實(shí)驗(yàn)理論，率先研究了鋯鈦比為9 4 ／6 的話鈦酸鉛薄膜的性能。實(shí)驗(yàn)中薄膜樣品的結(jié)構(gòu)為P t ／P Z T ／Y B C O ／L A O ，L A O 為基底材料，P t 和Y B C O 分別為P Z T 薄膜的上電極和下電極，Y B C O 薄膜用脈沖激光濺射(

3、 P L D ) 工藝沉積在基底上，P Z T 薄膜同樣用P L D 工藝外延生長(zhǎng)在下電極Y B C O 薄膜上。通過(guò)X R D 衍射研究了樣品的結(jié)晶狀況，其衍射譜表明，在一定條件下沉積出來(lái)的P Z T 薄膜樣品具有較好的結(jié)晶程度，晶格取向比較明顯；用R T 6 6 測(cè)量了薄膜樣品的鐵電性，測(cè)量所得的電滯回線表明P Z T 薄膜樣品具有良好的鐵電性能，樣品的剩余極化可達(dá)到P r = 1 2 ．5 B c ／c m 2 ：通過(guò)H P 4

4、1 9 2 阻抗分析儀得到薄膜的介電常數(shù)以及介電損耗與頻率的關(guān)系，在頻率為2 0 K H z 時(shí)其介電常數(shù)大約在1 2 0 左右，在此頻率下介電損耗大約在0 ．0 5 左右，薄膜較低的介電常數(shù)以及介電損耗又為其作為一種優(yōu)良的熱釋電材料提供了很好的依據(jù)；通過(guò)對(duì)熱釋電電流的測(cè)量可得到樣品的熱釋電常數(shù)約為3 n c ／c Ⅲ2 ·K 。在實(shí)驗(yàn)中．我們還研究了基底溫度、退火溫度以及摻雜等因素對(duì)薄膜性能的影響。關(guān)鍵詞：P Z T 鐵電性