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1、分類(lèi)號(hào):O484.5密級(jí):UDC:538.9學(xué)校代碼:11065碩士學(xué)位論文層狀鈣鈦礦型層狀鈣鈦礦型nLaFe0.5Co0.5O3Bi4Ti3O12薄膜的多鐵性能及其回線(xiàn)動(dòng)力學(xué)研究薄膜的多鐵性能及其回線(xiàn)動(dòng)力學(xué)研究張燦指導(dǎo)教師盧朝靖教授學(xué)科專(zhuān)業(yè)名稱(chēng)物理學(xué)論文答辯日期2017年6月4日IIAbstractIndertosynthesizesinglephaseroomtemperaturemultiferroicnLaFe0.5Co0.5O
2、3Bi4Ti3O12(nLFCBTO)materialsthispaperconceivesingtheantiferromagicnLaFe0.5Co0.5O3(LFC)(n=0.51)unitintotheferroelectricBi4Ti3O12(BTO)matrixoflayeredperovskite.SinglephasemultiferroicnLFCBTOthinfilmsweresuccessfullyprepare
3、don(111)PtTiSiO2Si(100)viaasolgelprocessferroelectricitydielectricitymagismmagodielectriceffectofthinfilmswerestudied.Toobtainsomeinfmationaboutferroelectricdomainstructurepolarizationreversethedynamichysteresisscalingft
4、hinfilmsarefurtherdiscussed.Themainresultsconclusionsareasfollows:1.nLFCBTOthinfilmsweredepositedonPtTiSiO2Sisubstratesthroughasolgelprocess.ThefilmshaveasinglephaselayeredAurivilliusstructureofthespacegroupFmm2indicatin
5、gthattheantiferromagicLFCunitissuccessfullyedintotheferroelectricBTOmatrixofthethreelayeredperovskite.2.The0.5LFCBTOLFCBTOfilmsallpresentobviousferroelectricmagicpropertiesatroomtemperature.Aremanentpolarization2Prasatur
6、atedmagizationMsof0.5LFCBTOfilmsare~48?Ccm2~2.0emucm3respectivelyThe2PrMsvaluesofLFCBTOfilmsare~42?Ccm2~7.2emucm3respectively.Meimptantlytheroomtemperaturemagodielectriceffectwereallobservedinthe0.5LFCBTOLFCBTOfilmsproba
7、blyresultingfromspinreientationunderappliedmagicfieldsbyaffectingtheinteractionbetweenthelocaldipolesofFe2Fe3.Underthemagicfieldof0.5Tthemagodielectriccoefficient(MDC)of0.5LFCBTOLFCBTOfilmsare~0.75%~3.8%respectively.3.Tw
8、okindsofdielectricanomalypeaksallappearfromdielectricspectrumsofthe0.5LFCBTOLFCBTOfilms.Twokindsofdielectricanomalypeaksindicatetwotypesofdielectricrelaxationbehavis.ThisstudyprovidessupptfthecoexistenceofFe2Fe3existence
9、ofoxygenvacancyinthefilms.4.InhighE0highfthescalingpowerlawof0.5LFCBTOLFCBTOfilmscanbeexpressedby∝f0.071E01.856∝f0.197E01.751respectively.Theabsolutevalueofexponent???ftwokindsofthinfilmsislowerthanthatofotherferroelectr
10、icfilms.Thisindicatesthat0.5LFCBTOLFCBTOfilmshaveallthestrongabilityofthedomainreversalgoodfrequencystability.InshtthenLFCBTOfilmsareappropriatefdevelopingferroelectricromaccessmemy.Keywds:nLaFe0.5Co0.5O3Bi4Ti3O12thinfil
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