NAND閃存的軟硬判決糾錯(cuò)碼應(yīng)用研究.pdf

1、近年來(lái)，隨著閃存技術(shù)的飛速發(fā)展，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）的高性能、非易失性（Non-Volatility）、能耗低、抗震動(dòng)、存儲(chǔ)容量高等優(yōu)點(diǎn)被人們發(fā)掘，擴(kuò)大了其在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用面。更由于閃存技術(shù)在近些年的飛速發(fā)展，閃存的諸多優(yōu)點(diǎn)均得到了放大，未來(lái)將可能取代PC中的機(jī)械磁盤，成為主流的大容量高性能存儲(chǔ)技術(shù)。MLC（Multi-Level Cell）型NAND Flash由于為大容量存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)而有效的解決方案，成

2、為了目前主流的閃存類型。
　　MLC型NAND Flash盡管已經(jīng)廣泛應(yīng)用于日常生活中，但自身還存在很多缺點(diǎn)，比如NAND Flash結(jié)構(gòu)決定了傳輸過程中存在多種干擾，使得數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的可靠性問題突出，需要進(jìn)行相關(guān)糾錯(cuò)碼技術(shù)的研究，來(lái)提高可靠性。NAND Flash單元間干擾是應(yīng)用中噪聲的主要來(lái)源，對(duì)傳輸模型的優(yōu)化以及對(duì)單元間干擾模型的研究將有助于提高M(jìn)LC閃存性能。可以通過針對(duì)以上問題等的研究，來(lái)進(jìn)行糾錯(cuò)碼方案和傳輸模型的優(yōu)化，

3、或者采取多種方式同時(shí)應(yīng)用的手段，來(lái)提高 NAND Flash的性能和傳輸可靠性。擴(kuò)大MLC型NAND Flash的應(yīng)用場(chǎng)景，使得高性能存儲(chǔ)真正做到普及。多級(jí)存儲(chǔ)單元(MLC)技術(shù)可用來(lái)提高 NAND閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度(容量)，然而，MLC型NAND Flash中等級(jí)數(shù)量的增加導(dǎo)致閃存的存儲(chǔ)出現(xiàn)了大量干擾和錯(cuò)誤。
　　本文對(duì)MLC型NAND Flash的差錯(cuò)控制編碼技術(shù)進(jìn)行了研究，分析了閃存操作中干擾的主要來(lái)源，推測(cè)出可能產(chǎn)生的錯(cuò)誤

4、類型，并通過針對(duì)軟硬判決糾錯(cuò)碼的研究，給出了相應(yīng)的解決方案，具體內(nèi)容如下：
　　1.簡(jiǎn)要介紹了閃存的特性，分析了NAND Flash的物理結(jié)構(gòu)，介紹了讀操作、編程操作以及擦除操作三種基本的操作方式。分析了閃存操作中干擾的主要來(lái)源，并介紹了解決閃存錯(cuò)誤用到的相應(yīng)差錯(cuò)控制編碼。
　　2.針對(duì)NAND Flash軟判決類錯(cuò)誤，分析了存儲(chǔ)單元間的干擾方式，基于軟判決LLR值的計(jì)算方法，推導(dǎo)出了NAND Flash信道下的LLR值計(jì)算