含有缺陷的一維周期結構相干熱輻射性質.pdf

1、近年來，隨著納米光子學的發(fā)展，微米或納米尺度微結構奇特的熱輻射性質引起了人們極大的興趣，這種結構在熱光伏發(fā)電系統(tǒng)、能量轉換系統(tǒng)等領域都有很好的應用前景，本文就是研究了含有缺陷后的一維周期結構的相干熱輻射性質。
　　我們分析了含有普通非吸收缺陷層的一維有限長度周期結構的光學性質，研究了缺陷層厚度對于反射率的影響、一維周期結構的態(tài)密度分布，通過計算我們發(fā)現(xiàn)一維周期結構在禁帶邊緣存在態(tài)密度峰，禁帶內部態(tài)密度為0，引入缺陷后會相應的出現(xiàn)缺

2、陷態(tài)的態(tài)密度峰。
　　對于含有吸收介質SiC缺陷的一維有限長度周期結構的光學性質，我們也進行了研究，缺陷層的插入方式分為直接插入和替代式插入，我們分析了缺陷層厚度、發(fā)射角度對發(fā)射率的影響，并對輻射的時間和空間相干性進行了探討，給出了表征發(fā)射峰時間相干性的品質因子及表征空間相干性的輻射角分布圖。
　　我們研究了含有吸收介質缺陷SiC的半無限長一維光子晶體結構的相干熱輻射性質，而缺陷層前面的周期結構為有限長度可以使得外側光場能夠