低頻下聚合物基復(fù)合材料介電性能的研究.pdf

1、本實(shí)驗(yàn)主要研究了低頻下納米粒子對(duì)聚合物基復(fù)合材料介電行為的影響。使用三種不同粒徑和晶型的鈦酸鋇（BT）納米粒子，并分別通過溶液法和原位聚合法合成復(fù)合材料薄膜聚偏氟乙烯(PVDF)/BT和聚酰亞胺(PI)/BT。通過測(cè)試室溫和變溫下復(fù)合材料的介電常數(shù)和介電損耗，發(fā)現(xiàn)復(fù)合材料的介電常數(shù)與BT粒子的尺寸和晶型有明顯的關(guān)系。特別在低頻下，隨著BT尺寸的降低，復(fù)合材料介電常數(shù)出現(xiàn)顯著的增長(zhǎng)，這主要是源自于界面極化。但是不同聚合物基復(fù)合材料的低頻介

2、電行為并不相同，其中PVDF/BT的介電行為在低頻下受BT的尺寸和晶型的影響比PI/BT更為顯著，這主要源自于PVDF的強(qiáng)極性。另外，由于PVDF為熱塑性材料，因此PVDF/BT的介電常數(shù)受溫度影響較大。而PI/BT的介電行為受溫度影響較小，主要是由于PI是極佳的熱固性材料。通過理論公式對(duì)復(fù)合材料的介電常數(shù)進(jìn)行擬合發(fā)現(xiàn)當(dāng)填料的體積分?jǐn)?shù)較大時(shí)，粒子與聚合物之間的相互作用不可忽視，同時(shí)也要考慮粒子形貌對(duì)介電行為的影響。
　　 因此，