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文檔簡介
1、嵌入式無源元件技術(shù)是實(shí)現(xiàn) PCB電子器件小型化、高速化、高可靠性的關(guān)鍵技術(shù)。在PCB無源器件中,電容器約占60%。滿足這一需求的電介質(zhì)要求有高介電常數(shù)、低介電損耗。金屬系高復(fù)合電介質(zhì)制造成本低、介電常數(shù)大,但是介電損耗普遍高,因而難以在嵌入式電容器上應(yīng)用。針對這一問題,本文進(jìn)行了多種鋁粉/環(huán)氧樹脂復(fù)合電介質(zhì)的探索性研究。本文主要研究結(jié)果如下:
1.復(fù)合材料的介電常數(shù)隨鋁粉的增加而上升,在一定加入量下迎來滲流轉(zhuǎn)變,在1KHz,小
2、片鋁粉、大片鋁粉、球形鋁粉/環(huán)氧樹脂體系對應(yīng)的介電常數(shù)滲流閾值分別為36%、28%和13%。滲流轉(zhuǎn)變的根源是,在此體積分?jǐn)?shù)下,鋁粉可以相互連通而形成滲流網(wǎng)絡(luò)。然而,滲流體系的介電損耗始很低,說明鋁粉表面的自鈍化膜作為絕緣層,阻止了電子貫通,大大減小了電導(dǎo)損耗。
2.在102~107頻域段上,復(fù)合材料的介電常數(shù)隨頻率的增加而線性下降,而介電損耗在很低水平略有上升。因?yàn)椋S著測試頻率增大,復(fù)合材料內(nèi)部的極化逐漸滯后測試電場,有效極
3、化降低,導(dǎo)致介電常數(shù)減小。
3.球形鋁粉、大片鋁粉、小片鋁粉/環(huán)氧樹脂體系的介電性能逐漸增強(qiáng),因?yàn)槠瑺钿X粉相比于球形鋁粉更容易在樹脂中形成高儲(chǔ)能的微型電容器,其薄片外形在作為微型電容器的電極時(shí),儲(chǔ)存電荷的能力遠(yuǎn)高于球形鋁粉。使用碳納米管對片狀鋁粉體系進(jìn)行摻雜,可以提高大片鋁粉體系的介電性能,這是利用了碳納米管較高的長徑比,可以使體系提前完成滲流轉(zhuǎn)變。
4.低滲流閾值(13%)的小片鋁粉/環(huán)氧樹脂體系,當(dāng)加入量達(dá)到22
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