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文檔簡介
1、SOI（Silicon on Insulator）技術(shù)是一種非常有潛力的新型硅技術(shù)，被譽(yù)為“21世紀(jì)的硅技術(shù)”。它有著諸多的優(yōu)點(diǎn)，如：提供良好的器件隔離、減少器件間的寄生效應(yīng)，提高電路的工作速度，有很強(qiáng)的抗輻射能力，集成度高等。因此高壓 SOI SPIC（Smart Power IC）目前已經(jīng)成為功率集成電路發(fā)展的新領(lǐng)域。
本論文研究的基于 SOI上的高壓開關(guān)集成電路，是國防科技重點(diǎn)實驗室的基金項目?；赟OI材料的特點(diǎn)，本論
2、文主要研究在SOI材料上集成高壓功率開關(guān)電路，以及適合此集成電路的數(shù)?；旌想娐吩O(shè)計方法。同時，還研究了與這種電路設(shè)計相匹配的工藝流程，為工程上更好的實現(xiàn)這一混合電路提供了良好的技術(shù)平臺。
作者的主要工作是設(shè)計實現(xiàn)了SOI基上帶有D/A驅(qū)動的高壓LDMOS功率開關(guān)電路。這種功率開關(guān)集成電路，利用了D/A變換的靈活性，運(yùn)用數(shù)字電路與高壓模擬電路混合設(shè)計方法，實現(xiàn)了采用數(shù)字控制的耐壓為300V的LDMOS功率開關(guān)集成電路。該集成電路
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