稀土薄膜發(fā)光材料的制備及其圖案化.pdf

1、隨著設(shè)備的小型化和微制造的日益發(fā)展，近年來薄膜的制備已經(jīng)成為最活躍的研究領(lǐng)域之一，這是由于它們在廣泛領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用。作為一個(gè)重要方面，薄膜材料與大體積材料相比，它們具有獨(dú)特的性能，例如在電子，顯示，傳感器，光學(xué)設(shè)備等方面，它們滿足了裝置小尺寸的需求，因此無論是在理論上還是在實(shí)踐中都引人注目。微接觸打印法作為軟石印方法的一種，是制備微納米尺寸的圖案化薄膜的有效方法。這個(gè)過程是利用一個(gè)PDMS彈性模板作為圖章，首先在石英片基質(zhì)上創(chuàng)造圖案

2、，結(jié)合溶膠一凝膠過程在親水性的區(qū)域沉積發(fā)光體，而前驅(qū)體溶液作為該過程中的墨水。
　　 本文利用X-射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、光學(xué)顯微鏡、X-射線能量散射譜(EDS)、紫外-可見吸收光譜(UV-vis)等技術(shù)對合成材料的結(jié)構(gòu)、形貌、組成進(jìn)行表征，用光致發(fā)光光譜、低壓陰極射線發(fā)光光譜研究了圖案化樣品的光學(xué)性質(zhì)。在紫外光和低壓陰極射線的激發(fā)下，制備的稀土發(fā)光薄膜材料能分別呈現(xiàn)出所摻雜的稀土離子的特征發(fā)射。采用微接觸打印法

3、和溶膠-凝膠法制備了規(guī)則圓點(diǎn)點(diǎn)陣的GdVO4：Ln(Ln=Eu3+，Dy3+，Sm3+)薄膜發(fā)光圖案。在紫外光和電子束的激發(fā)下，GdVO4晶格中的Eu3+，Dy3+，Sm3+離子分別呈現(xiàn)出屬于它們的5D0-7F2，4F9/2-6H13/2和4G5/2-6H7/2特征躍遷。利用溶膠-凝膠和微接觸打印技術(shù)相結(jié)合的方法制備了具有圓點(diǎn)點(diǎn)陣的Gd2(WO4)3：Ln(Ln=Eu3+，Tb3+)發(fā)光薄膜圖案。在紫外光和低壓電子束的激發(fā)下，Gd2(W