有機(jī)薄膜電致發(fā)光電極功函數(shù)特性及器件性能的研究.pdf

1、有機(jī)電致發(fā)光器件具有主動(dòng)發(fā)光、高亮度、高效率、寬視角、響應(yīng)速度快、色彩豐富、輕便、可以做成卷曲的顯示屏等諸多優(yōu)點(diǎn),己成為當(dāng)今顯示器件研究的熱門,并已有產(chǎn)品投放市場(chǎng).目前這一領(lǐng)域的熱點(diǎn)仍集中在降低驅(qū)動(dòng)電壓、增加器件的發(fā)光效率、延長(zhǎng)使用壽命、實(shí)現(xiàn)全色顯示等方面.本論文主要從注入理論、器件結(jié)構(gòu)等角度出發(fā),對(duì)幾種單載流子器件和發(fā)光器件進(jìn)行了研究,研究的主要內(nèi)容包括:1.采用高頻放電的方法處理ITO表面,并用接觸勢(shì)差法測(cè)量了ITO表面功函數(shù)的變化

2、.高頻放電處理增加了ITO表面功函數(shù),最高達(dá)0.25eV,并提高了雙層有機(jī)電致發(fā)光器件的性能.2.利用Fowler-Nordheim(F-N)公式,考慮隧穿機(jī)制,在計(jì)及不計(jì)內(nèi)建勢(shì)條件下模擬了單載流子器件ITO/TPD/Cu中ITO/TPD界面空穴注入勢(shì)壘.兩種條件下的模擬結(jié)果基本一致,與接觸勢(shì)差法測(cè)量的結(jié)果相符.提出了減小內(nèi)建勢(shì)對(duì)模擬結(jié)果影響的兩種方法.3.在模擬計(jì)算中為了避免使用不易精確測(cè)定的載流子有效質(zhì)量和有機(jī)層厚度,通過(guò)F-N公式

3、變換和利用雙邊注入單極性Al/Alq<,3>/Metal器件,模擬了金屬/Alq<,3>界面的電子注入勢(shì)壘.4.研究了電子傳輸層Alq<,3>和發(fā)光層Balq的厚度對(duì)以Balq為發(fā)光層的器件電致發(fā)光注入特性的影響.研究結(jié)果表明發(fā)光層中激子的擴(kuò)散長(zhǎng)度小于30nm;電子傳輸層Alq<,3>和發(fā)光層Balq的厚度分別為10nm和50nm時(shí),器件性能最佳,所獲得的器件的最大亮度和最大電流效率分別為7482cd/m<'2>和1.87cd/A.5.